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    Review—System-on-Chip SMO Gas Sensor Integration in Advanced CMOS Technology
    Lahlalia, Ayoub ; Filipovic, Lado
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 165 (2018), S. B862- (18S.)
    Online unknown
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    The effects of residual RTOs on formation of CoSi2 and its properties for 0.18 μm CMOS
    LEE, Wan-Gyu
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 2, S. G98- (6S.)
    academicJournal
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    A one-step single-cleaning solution for CMOS processes
    CHAO, T. S ; YEH, C. H ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 150 (2003), Heft 9, S. G503- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    TiSi2 Integration in a Submicron CMOS Process : II . Integration Issues
    Brun, N. ; J. ‐P. Gonchond ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 142 (1995-06-01), S. 1992-1996
    Online unknown
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    TiSi2 Integration in a Submicron CMOS Process: I . Salicide Formation
    Brun, N. ; Kalnitsky, A. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 142 (1995-06-01), S. 1987-1991
    Online unknown
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    Source/Drain Dislocations and Electrical Leakage in Titanium‐Salicided CMOS Integrated Circuits
    Guldi, R. L.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 141 (1994-07-01), S. 1957-1963
    Online unknown
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    Selective Electroless Plated Ni Contacts to CMOS Junctions with CoSi2
    Luftman, H. ; Sheng, T. T. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 138 (1991-12-01), S. 3618-3624
    Online unknown
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    High Doping Density/High Electric Field, Stress and Heterojunction Effects on the Characteristics of CMOS Compatible p-n Junctions
    Simoen, E. ; Eneman, G. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 158 (2011), S. R27
    Online unknown
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    3D Interconnect Process Integration and Characterization of Back Side Illuminated CMOS Image Sensor with 1.75 μm Pixels
    Kim, Sibum ; Park, Suyeon ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 156 (2009), S. J143
    Online unknown
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    Phase Change Random Access Memory Devices with Nickel Silicide and Platinum Silicide Electrode Contacts for Integration with CMOS Technology
    Zhao, Rong ; Tow Chong Chong ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 158 (2011), S. H232
    Online unknown
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    Very High Performance CMOS on Si(551) Using Radical Oxidation Technology and Accumulation-Mode SOI Device Structure
    Teramoto, Akinobu ; Ohmi, Tadahiro ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 157 (2010), S. H389
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Improved Poly Gate Engineering for 65 nm Low Power CMOS Technology
    Chen, S. C. ; Chen, Jone-Fang ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 157 (2010), S. H38
    Online unknown
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Deposition and Characterization of Polycrystalline Si[sub 1−x]Ge[sub x] Films for CMOS Transistors Gate Electrode Applications
    Tsuda, Toshitake ; Pachura, David ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 152 (2005), S. G110
    Online unknown
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    Drive Current Enhancement in Sub-50 nm CMOS by Reduction of SDE Resistance with Laser Thermal Process
    Sugii, Toshihiro ; Kase, Masataka ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), S. G895
    Online unknown
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    Characterization of Thermal and Electrical Stability of MOCVD HfO[sub 2]-HfSiO[sub 4] Dielectric Layers with Polysilicon Electrodes for Advanced CMOS Technologies
    Rittersma, Z. M. ; Loo, Josine ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), S. G870
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Comparison of MiM Performance with Various Electrodes and Dieletric in Cu Dual Damascene of CMOS MS/RF Technology
    Lin, H. J. ; King, M. C. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 153 (2006), S. G1032
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    High Performance Submicrometer CMOS with Metal Induced Lateral Crystallization of Amorphous Silicon
    Joshi, Amol R. ; Saraswat, Krishna C.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 150 (2003), S. G443
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Fully Silicided Metal Gates for High-Performance CMOS Technology: A Review
    Maszara, W. P.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 152 (2005), S. G550
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Integration of a CMOS Preamplifier with a Lead Zirconate Titanate Resonant Frequency Microsensor
    Markus, David T. ; Rho, Kyeonglan ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 149 (2002), S. J53
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    Scalability and Reliability Characteristics of CVD HfO[sub 2] Gate Dielectrics with HfN Electrodes for Advanced CMOS Applications
    Sa, N. ; Kang, Jinfeng ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 154 (2007), S. H927
    Online unknown
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