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    Oxide-thickness-dependent suboxide width and its effect on inversion tunneling current
    LIN, Yen-Po ; HWU, Jenn-Gwo
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 12, S. G853- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Growth-then-anodization technique for reliable ultrathin gate oxides
    LIAO, Wei-Jian ; YANG, Yi-Lin ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 151 (2004), Heft 9, S. G549- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low temperature radio-frequency-sputtered (Ba, Sr)TiO3 films on Pt/TiN/Ti/Si substrates with various oxygen/argon mixing ratios
    SHYE, Der-Chi ; CHIOU, Bi-Shiou ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 150 (2003), Heft 2, S. F20- (8S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Silicon metal-oxide-semiconductor solar cells with oxide prepared by room temperature anodization in hydrofluosilicic acid solution
    CHEN, Chih-Hao ; HONG, Chao-Chi ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 149 (2002), Heft 6, S. G362- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of Stacked Hafnium Oxide (HfO2 )/Silicon Dioxide (SiO2 ) Metal-Oxide-Semiconductor Tunneling Temperature Sensors.
    Wang, Chih-Yao ; Hwu, Jenn-Gwo
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 157 (2010-10-01), Heft 10, S. J324- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A Numerical Study of Thermal and Electrical Effects in a Vertical LED Chip.
    Hwu, Farn-Shiun ; Chen, Jyh-Chen ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 157 (2010), Heft 1, S. H31- (7S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Low Temperature Tandem Aluminum Oxides Prepared by DAC-ANO Compensation in Nitric Acid.
    Yang, Che-Yu ; Hwu, Jenn-Gwo
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 156 (2009-11-01), Heft 11, S. G184- (6S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of the Electrode Pattern on Current Spreading and Driving Voltage in a GaN/Sapphire LED Chip.
    Sheu, Gwo-Jiun ; Hwu, Farn-Shiun ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 155 (2008-10-01), Heft 10, S. H836- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Silicon Oxide Gate Dielectric on n-Type 4H-SiC Prepared by Low Thermal Budget Anodization Method.
    Chuang, Kai-Chieh ; Hwu, Jenn-Gwo
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 155 (2008-08-01), Heft 8, S. G159- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Using Anodization to Oxidize Ultrathin Aluminum Film for High-k Gate Dielectric Application.
    Lin, Yen-Po ; Hwu, Jenn-Gwo
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 150 (2003-07-01), Heft 7, S. G389- (6S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Eliminating the surface inversion layer under the field oxide by low pressure rapid thermal annealing.
    Wu, You-Lin ; Lin, Jing-Jenn ; et al.
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 141 (1994-09-01), S. 2498-2502
    academicJournal
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    Metal-Oxide-Semiconductor Structure Solar Cell Prepared by Low-Temperature (<400°C) Anodization Technique.
    Wang, Chih-Yao ; Hwu, Jenn-Gwo
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 156 (2009-03-01), Heft 3, S. H181- (3S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    C-V hysteresis instability in aluminum/tantalum oxide/silicon oxide/silicon capacitors due to postmetallization annealing and Co-60 irradiation
    JENN-GWO, HWU ; MING-JER, JENG
    In: Journal of the Electrochemical Society, Jg. 135 (1988), Heft 11, S. 2808-2813
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Eliminating the Surface Inversion Layer under the Field Oxide by Low Pressure Rapid Thermal Annealing
    Hwu, Jenn-Gwo ; Lin, Jing-Jenn ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 141 (1994-09-01), S. 2498-2502
    Online unknown
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    Nachschlagewerk
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Investigation of the Two-State Current Conduction Mechanism in High-k∕SiO2 Stacked Dielectric with High Bandgap 4H-SiC Substrate
    Chiang, Jung-Chin ; Hwu, Jenn-Gwo
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 158 (2011), S. G237
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A Numerical Study of Thermal and Electrical Effects in a Vertical LED Chip
    Sheu, Jinn-Kong ; Chen, Hsueh I. ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 157 (2010), S. H31
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Characterization of Stacked Hafnium Oxide (HfO[sub 2])/Silicon Dioxide (SiO[sub 2]) Metal-Oxide-Semiconductor Tunneling Temperature Sensors
    Wang, Chih-Yao ; Hwu, Jenn-Gwo
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 157 (2010), S. J324
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Nondestructive Nanoscale 3D Elemental Mapping and Analysis of a Solid Oxide Fuel Cell Anode
    Grew, Kyle N. ; Yi, Jae-mock ; et al.
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 157 (2010), S. B783
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Low Temperature Tandem Aluminum Oxides Prepared by DAC-ANO Compensation in Nitric Acid
    Hwu, Jenn-Gwo ; Yang, Che-Yu
    In: Journal of The Electrochemical Society, Jg. 156 (2009), S. G184
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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