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    CVD Growth Mechanism of hBN-Graphene Heterostructure / hBN-グラフェンヘテロ構造のCVD成長機構
    Hibino, Hiroki ; Kageshima, Hiroyuki ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 50 (2023), Heft 1, S. 50
    academicJournal
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    Abnormal Growth, Dislocations, Impurity Doping of CVD Single-crystal Diamond(<Special Issue>Diamond Growth) / CVD単結晶ダイヤモンドの異常成長粒子,転位,不純物ドーピングの機構(<特集>ダイヤモンド成長)
    Kasu, Makoto ; 誠, 嘉数
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 39 (2013), Heft 4, S. 190
    academicJournal
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    25aD01 CVD growth mode during the initial stage of thin film deposition(NCCG-34) / 25aD01 薄膜初期堆積過程におけるCVD成長モード(ナノ粒子・ナノ構造(1),第34回結晶成長国内会議)
    Komiyama, Hiroshi ; Noda, Suguru ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 31 (2004-08-25), Heft 3, S. 166
    academicJournal
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    17aB10 Plasma CVDおよびCat-CVDによるSiC薄膜の成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
    17aB10 Thin film growth of Silicon Carbide by Plasma CVD and Cat-CVD(NCCG-35)
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 32 (2005-08-17), Heft 3, S. 137
    academicJournal
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    Diamond Single Crystal Grown by Plasma CVD(<Special Issue>Functional Material, Diamond) / プラズマCVD法によるダイヤモンド単結晶成長(<小特集>バルク成長分科会特集-機能性材料ダイヤモンド-)
    Meguro, Kiichi ; Imai, Takahiro ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 31 (2004-11-30), Heft 4, S. 326
    academicJournal
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    Single-Walled Carbon Nanotubes Grown with Low-Temperature CVD from Alcohol : Experiments and Simulations(<Special Issue>Growth of Carbon Nanotubes and Their Applications / アルコールを用いた低温CVDにより成長するナノチューブ : 実験とシミュレーション(<小特集>カーボンナノチューブの成長とその応用)
    Maruyama, Shigeo ; 茂夫, 丸山
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 30 (2003-09-15), Heft 4, S. 306
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    26aC13 Growth mechanism of a-SiC films grown by plasma enhanced CVD(NCCG-34) / 26aC13 RFプラズマCVD法におけるa-SiC膜の成長機構;総括(結晶成長基礎,第34回結晶成長国内会議)
    Kaneko, T. ; 聰, 金子
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 31 (2004-08-25), Heft 3, S. 229
    academicJournal
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    23pB1 Thin Film Growth Mechanism of Silicon Carbide by RF Plasma Enhanced CVD / 23pB1 単一ソースRFプラズマCVD法によるa-SiC薄膜の生成機構(気相成長V)
    Sone, H ; Yamazaki, H ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 26 (1999-07-01), Heft 2, S. 98
    academicJournal
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    23aB12 The two site competitive adsorption model for Silicon Carbide CVD Process / 23aB12 シリコンカーバイドCVD過程における2サイト競合吸着モデル(エピタキシャル成長II)
    Sone, H ; Miyakawa, N ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 26 (1999-07-01), Heft 2, S. 97
    academicJournal
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    MTSを用いたCVD法によるSiC薄膜の配向性 : 気相成長III
    The orientation of silicon carbide thin film by CVD using MTS
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 25 (1998-07-01), Heft 3, S. 35
    academicJournal
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    The Growth Model of Silicon Carbide CVD Process by Thermogravimeter II / 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドCVD過程の成長モデルII : 気相成長III
    Sone, H. ; Miyakawa, N. ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 25 (1998-07-01), Heft 3, S. 36
    academicJournal
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    02aB07 Cat-CVDによるμc-SiC膜の低温成長と成長機構(半導体エピ(4),第36回結晶成長国内会議)
    02aB07 Growth mechanism and low temperature growth of μc-SiC by atalytic-CVD(NCCG-36)
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 33 (2006-11-01), Heft 4, S. 277
    academicJournal
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    17aB09 Thin Film Growth of 3C-SiC by Low Pressure Cat-CVD(NCCG-35) / 17aB09 低圧Cat-CVD法による3C-SiC薄膜成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
    Ono, A. ; Osada, H ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 32 (2005-08-17), Heft 3, S. 136
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    17aB08 Low Temperture Growth of Polycrystalline SiC Grown by Cat-CVD from Monomethylsilane(NCCG-35) / 17aB08 モノメチルシランを用いたCat-CVD法による微結晶SiCの低温成長(半導体エピ(2),第35回結晶成長国内会議)
    Miyakawa, N. ; Suga, S. ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 32 (2005-08-17), Heft 3, S. 135
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Growth kinetics and hydrogen content in a-SiC films by plasma enhanced CVD / RFプラズマCVD法におけるa-SiC膜の水素量と成長カイネテイクス(半導体薄膜・表面)
    Nemoto, D. ; Miyakawa, N. ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 30 (2003-07-05), Heft 3, S. 15
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Deposition of SnO_2 Thin Film by Thermal CVD Furnace under Micro-Gravity(<Special Issue>Crystal Growth in Micro-Gravity) / 微小重力環境下での熱CVD法によるSnO_2薄膜堆積実験(<小特集>微小重力環境を利用した結晶成長)
    Takakura, Hideyuki ; Matsui, Keisuke ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 29 (2002-10-05), Heft 4, S. 378
    academicJournal
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    Effects of N_2 Plasma-activated CVD method for morphologies and characteristics of the carbon micro-coils. / プラズマ励起N_2ガス導入におけるカーボンマイクロコイルのモルフォロジーへの影響 : 気相成長
    Kuzuya, C. ; Motojima, S. ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 27 (2000-07-01), Heft 1, S. 167
    academicJournal
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    CVD Si_<1-x>Ge_x Epitaxial Growth and Its Doping Control : Single Crystal Si Growth(<Special Issue>Frontiers of Thin Film Crystal Growth for the New Millennium) / CVD Si_<1-x>Ge_xエピタキシャル成長とドーピング制御 : Si半導体結晶(<特集>21世紀を拓く薄膜結晶成長)
    Murota, Junichi ; Sakuraba, Masao ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 27 (2000-10-25), Heft 4, S. 171
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    The Growth Model of Silicon Carbide CVD process by Thermogravimeter / 熱重量天秤を用いたシリコンカーバイドCVD過程の成長モデル
    Sone, H ; Miyakawa, N ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 24 (1997-07-01), Heft 2, S. 180
    academicJournal
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    MTS(CH_3SiCl_3)を用いたシリコンカーバイドのRFプラズマCVD過程の発光分光 / OES study for r.f. plasma CVD of silicon carbide using MTS
    Yamada, D ; Sone, H ; et al.
    In: 日本結晶成長学会誌, Jg. 24 (1997-07-01), Heft 2, S. 179
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
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xl 1200 - 1366
xxl 1366 -