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    Plasma-induced energy band evolution for two-dimensional heterogeneous anti-ambipolar transistors.
    Shahi, Simran ; Ahmed, Asma ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics, Jg. 41 (2023-09-01), Heft 5, S. 1-10
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Reverse gate bias-induced degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors.
    Chang, Chih-Yang ; Anderson, Travis ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics, Jg. 28 (2010-09-01), Heft 5, S. 1044-1047
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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