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    In situ fabrication of metal gate/high-κ dielectric gate stacks using a potential lower cost front-end process for the sub-90 nm CMOS technology node
    Poole, Kelvin F. ; Singh, Rajendra ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 23 (2005), S. 437-437
    Online unknown
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    Patterned wafer defect density analysis of step and flash imprint lithography
    Resnick, D. J. ; Martin, W. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 26 (2008), S. 151-151
    Online unknown
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    Ultrathin decoupled plasma nitridation SiON gate dielectrics prepared with various rf powers
    Chan Yuan Hu ; Jung Che Chen ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 25 (2007), S. 1298-1298
    Online unknown
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    Noncontact sheet resistance and leakage current mapping for ultra-shallow junctions
    Wong, T. M. H. ; Souchkov, V. V. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 24 (2006), S. 414-414
    Online unknown
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    Gate technology for 0.1-μm Si complementary metal–oxide–semiconductor using g-line exposure and deep ultraviolet hardening
    Lee, KF ; Duk Young Jeon ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 12 (1994-07-01), S. 2800-2800
    Online unknown
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    Probing doping conformality in fin shaped field effect transistor structures using resistors
    Poon, Tze ; Jurczak, Malgorzata ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 26 (2008), S. 396-396
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    Interferometry for end point prediction during plasma etching of various structures in complementary metal–oxide–semiconductor device fabrication
    Lill, Thorsten ; Chinn, J. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 17 (1999), S. 2630-2630
    Online unknown
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    Application of synchrotron x-ray lithography to fabricate fully scaled 0.5 μm complementary metal–oxide semiconductor devices and circuits
    Wang, L. K. ; Voelker, H. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 7 (1989-11-01), S. 1662-1662
    Online unknown
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    Fabrication of 0.5 μm n- and p-type metal–oxide semiconductor test devices using x-ray lithography
    Staudt-Fischbach, P. ; Pelka, M. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 7 (1989-11-01), S. 1642-1642
    Online unknown
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