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    Complementary metal oxide semiconductor integration of epitaxial Gd[sub 2]O[sub 3]
    Schmidt, Matthias ; Kurz, Heinrich ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 27 (2009), S. 258-258
    Online unknown
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    SCALPEL mark detection using Si/SiO[sub 2] and 100 keV backscattered electrons
    Gibson, G. ; Misra, S. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 19 (2001), S. 1852-1852
    Online unknown
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    Line edge roughness characterization with a three-dimensional atomic force microscope: Transfer during gate patterning processes
    Pauliac, S. ; Joubert, Olivier ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 23 (2005), S. 3075-3075
    Online unknown
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    Low-k dielectrics for trench isolation in nanoscaled complementary metal oxide semiconductor imagers
    Irrera, Fernanda ; Russo, F. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 27 (2009), S. 517-517
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    Super-self-aligned back-gate∕double-gate planar transistors: Novel fabrication approach
    Liu, Haitao ; Kumar, Arvind ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 24 (2006), S. 3230-3230
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    Elevated source drain devices using silicon selective epitaxial growth
    Dip, A. ; Adetutu, O. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 18 (2000), S. 1244-1244
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    Interferometry for end point prediction during plasma etching of various structures in complementary metal–oxide–semiconductor device fabrication
    Lill, Thorsten ; Chinn, J. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 17 (1999), S. 2630-2630
    Online unknown
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    Titanium silicide formation by ion beam mixing and rapid thermal annealing
    Mattiussi, G. A.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 4 (1986-11-01), S. 1352-1352
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    Use of TiSi2 to form metal–oxide–silicon field effect transistors with self-aligned source/drain and gate electrode
    Yachi, T. ; Suyama, S.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 3 (1985-07-01), S. 992-992
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    Secondary ion mass spectrometry characterization of source/drain junctions for strained silicon channel metal–oxide–semiconductor field-effect transistors
    Liu, Chun-Li ; Lerma, Joe ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 22 (2004), S. 327-327
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    Fundamental connection between hydrogen/deuterium desorption at silicon surfaces in ultrahigh vacuum and at oxide/silicon interfaces in metal–oxide–semiconductor devices
    Leburton, Jean-Pierre ; Hess, Karl ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 19 (2001), S. 1119-1119
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    Application of synchrotron x-ray lithography to fabricate fully scaled 0.5 μm complementary metal–oxide semiconductor devices and circuits
    Wang, L. K. ; Voelker, H. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 7 (1989-11-01), S. 1662-1662
    Online unknown
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    Dopant diffusion modeling for heteroepitaxial SiGe∕Si devices
    Chidambaram, P. R. ; Machala, C. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 24 (2006), S. 608-608
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    Doping of polycrystalline silicon films using an arsenic spin-on-glass source and surface smoothness
    Kvam, Eric P. ; Neudeck, Gerold W. ; et al.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 11 (1993-09-01), S. 1903-1903
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    Poisson-based analysis of spreading resistance profiles
    Mazur, R. G.
    In: Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures, Jg. 10 (1992), S. 397-397
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