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    Ni- and Co-based silicides for advanced CMOS applications
    KITTL, J. A ; LAUWERS, A ; et al.
    In: Materials for Advanced Metallization, MAM 2003: Proceedings of the European Workshop on Materials for Advanced Metallization 2003, La Londe Les Maures, France, March 9-12, Jg. 70 (2003), Heft 2-4, S. 158-165
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Towards implementation of a nickel silicide process for CMOS technologies
    LAVOIE, C ; D'HEURLE, F. M ; et al.
    In: Materials for Advanced Metallization, MAM 2003: Proceedings of the European Workshop on Materials for Advanced Metallization 2003, La Londe Les Maures, France, March 9-12, Jg. 70 (2003), Heft 2-4, S. 144-157
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Investigation of iridium as a gate electrode for deep sub-micron CMOS technology
    PAWLAK, M. A ; SCHRAM, T ; et al.
    In: Materials for Advanced Metallization, MAM 2003: Proceedings of the European Workshop on Materials for Advanced Metallization 2003, La Londe Les Maures, France, March 9-12, Jg. 70 (2003), Heft 2-4, S. 373-376
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Developing a conductive oxygen barrier for ferroelectric integration
    JOHNSON, J. A ; LISONI, J. G ; et al.
    In: Materials for Advanced Metallization, MAM 2003: Proceedings of the European Workshop on Materials for Advanced Metallization 2003, La Londe Les Maures, France, March 9-12, Jg. 70 (2003), Heft 2-4, S. 377-383
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
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