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    A New SiGeC Vertical MOSFET: Single-Device CMOS (SD-CMOS) : Materials and devices for end-of-roadmap and beyond CMOS scaling
    Augusto, C.J.R.P. ; Forester, L.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2010, Heft 1252, S. 17-26
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The Integration of the Ferromagnetic Inductors into the Standard CMOS Chip : Heterogeneous integration challenges of MEMS, sensor and CMOS LSI
    Nizhnik, O. ; Vinluan, O.M. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 1427 (2012), S. 62-67
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Diamond-Like Carbon Thin Films with Extremely High Compressive Stress (>8∼12GPa) for Advanced CMOS Strain Engineering : Heterogeneous integration challenges of MEMS, sensor and CMOS LSI
    Ma, X. ; Yin, H. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 1427 (2012), S. 80-85
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    MEMS-CMOS Integrated Tactile Sensor with Digital Signal Processing for Robot Application : Heterogeneous integration challenges of MEMS, sensor and CMOS LSI
    Makihata, M. ; Muroyama, M. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 1427 (2012), S. 98-105
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Interfacial Properties, Surface Morphology and Thermal Stability of Epitaxial GaAs on Ge Substrates with High-k Dielectric for Advanced CMOS Applications : Materials and devices for end-of-roadmap and beyond CMOS scaling
    Kumar, A. ; Dalapati, G.K. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2010, Heft 1252, S. 119-124
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Investigation of Wet Etch of Sub-nm LaOx Capping Layers for CMOS Applications : Materials and devices for end-of-roadmap and beyond CMOS scaling
    Li, H. F. ; Jahanbani, M. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2010, Heft 1252, S. 49-54
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Tuneable CMOS and Current Mirror Circuit with Double-Gate Screen Grid Field Effect Transistors : Materials and devices for end-of-roadmap and beyond CMOS scaling
    Shadrokh, Y. ; Fobelets, K. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, 2010, Heft 1252, S. 11-16
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    The Influence of Defects on Compatibility and Yield of the HfO~2-PolySilicon Gate Stack for CMOS Integration : Novel materials and processes for advanced CMOS
    Kaushik, V. S. ; De Gendt, S. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 745 (2003), S. 335-342
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Interface Quality and Electrical Performance of Low-Temperature Metal Organic Chemical Vapor Deposition Aluminum Oxide Thin Films for Advanced CMOS Gate Dielectric Applications : Novel materials and processes for advanced CMOS
    Skordas, S. ; Papadatos, F. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 745 (2003), S. 209-214
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Characterization of Ruthenium and Ruthenium Oxide Thin Films Deposited by Chemical Vapor Deposition for CMOS Gate Electrode Applications : Novel materials and processes for advanced CMOS
    Papadatos, F. ; Skordas, S. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 745 (2003), S. 61-66
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Physical and Electrical Properties of Al~2O~3, HfO~2, and Their Alloy Films Prepared by Atomic Layer Deposition for 65nm CMOS Gate Dielectric : Novel materials and processes for advanced CMOS
    Kawahara, T. ; Torii, K. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 745 (2003), S. 155-160
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Nickel, Platinum and Zirconium Germanosilicide Contacts to Heavily Phosphorous Doped Silicon-Germanium Alloys for Advanced CMOS Source/Drain Junctions : Novel materials and processes for advanced CMOS
    Mo, H. ; Liu, J. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 745 (2003), S. 129-134
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Measuring The Work Functions of PVD TaN, TaSiN and TiSiN Films With a Schottky Diode CV Technique for Metal Gate CMOS Applications : Novel materials and processes for advanced CMOS
    Pan, J. ; Woo, C. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 745 (2003), S. 55-60
    Konferenz
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    III-V CMOS Technologies on Si Platform : Interface engineering for post-CMOS emerging channel materials
    Takenaka, M. ; Takagi, S.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 1336 (2011), S. 18-30
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Post-CMOS Integration of Nanomechanical Devices by Direct Ion Beam Irradiation of Silicon : Ion beams - new applications from mesoscale to nanoscale
    Perez-Murano, F. ; Rius, G. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 1354 (2012), S. 103-108
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    CMOS Compatible Growth of Carbon Nanotubes and Their Application in Field-Effect Transistors : Carbon nanotubes, graphene and related nanostructures
    Uchino, T. ; Ayre, G.N. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 1407 (2012), S. 197-202
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Thermoelectric Properties of Silicon Nanowire Array and Spin-on Glass Composites Fabricated with CMOS-compatible Techniques : Functional Nanowires and Nanotubes
    Curtin, B.M. ; Bowers, J.E.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 1408 (2012), S. 61-66
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Method for Achieving CMOS MEMS Accelerometers with Excellent Built-in Thermal Stability and Reduced Charge Damage : MEMS, BioMEMS, and Bioelectronics; materials and devices
    Hsu, K.Y.J. ; Tan, S.S.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 1415 (2012), S. 53-58
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Non-melt Laser Thermal Annealing of Shallow Boron Implantation for Back Surface Passivation of Backside-illuminated CMOS Image Sensors : Amorphous and polycrystalline thin-film silicon science and technology
    Ali-Guerry, Z.A.F. ; Huet, K. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 1321 (2011), S. 209-216
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Materials Characterization of CIGS Solar Cells on Top of CMOS Chips : Energy Harvesting; recent advances in materials, devices and applications
    Lu, J. ; Liu, W. ; et al.
    In: MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS, Jg. 1325 (2011), S. 149-158
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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