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    SOI MOSFET with an insulator region (IR-SOI): A novel device for reliable nanoscale CMOS circuits
    Orouji, Ali A. ; Anvarifard, Mohammad K.
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 178 (2013-04-20), Heft 7, S. 431-437
    academicJournal
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    Silicides and germanides for nano-CMOS applications
    Kittl, J.A. ; Opsomer, K. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 154 (2008), S. 144-154
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Boron out-diffusion mechanism in oxide and nitride CMOS sidewall spacer: Impact of the materials properties
    Pelletier, B. ; Juhel, M. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 154 (2008), S. 252-255
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Simulation of the sub-melt laser anneal process in 45 CMOS technology—Application to the thermal pattern effects
    Colin, A. ; Morin, P. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 154 (2008), S. 31-34
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    New materials and device architectures for the end-of-roadmap CMOS nodes
    Skotnicki, Thomas ; Boeuf, Frederic ; et al.
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 124 (2005), S. 3-7
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ru and RuO2 gate electrodes for advanced CMOS technology
    Fröhlich, K. ; Husekova, K. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 109 (2004-06-15), Heft 1-3, S. 117-121
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Accurate electrical activation characterization of CMOS ultra-shallow profiles
    Clarysse, T. ; Dortu, F. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 114 (2004), S. 166-173
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ni based silicides for 45 nm CMOS and beyond
    Lauwers, Anne ; Kittl, Jorge A. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 114 (2004), S. 29-41
    academicJournal
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    New physics mechanisms enabled by advanced SOI CMOS engineering
    Cristoloveanu, Sorin
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 114 (2004), S. 9-14
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Advanced front-end processes for the 45 nm CMOS technology node
    Collart, E.J.H. ; Felch, S.B. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 114 (2004), S. 118-129
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermal stability of Hf-based high-k dielectric films on silicon for advanced CMOS devices
    Bastos, K.P. ; Driemeier, C. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 112 (2004), Heft 2, S. 134-138
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Influence of N 2/H 2 plasma treatment on chemical vapor deposited TiN multilayer structures for advanced CMOS technologies
    Melnik, V. ; Wolanski, D. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 102 (2003), Heft 1, S. 358-361
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fully depleted SOI-CMOS technology for high temperature IC applications
    Gentinne, B. ; Eggermont, J. P. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 46 (1997), Heft 1, S. 1-7
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Integration of SALICIDE process for deep-submicron CMOS technology: effect of nitrogen/argon-amorphized implant on SALICIDE formation
    Ho, C.S ; Pey, K.L ; et al.
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 51 (1998), Heft 1, S. 274-279
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Collective fabrication of microsystems compatible with CMOS through the CMP service
    Karam, J.M. ; Courtois, B. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 35 (1995), Heft 1, S. 219-223
    Online academicJournal
    Zugriff:
    Full Text Finder (Volltext)
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    Characterization of macroscopic defects in silicon after processing for CMOS and bipolar circuits
    Steeds, J.W. ; Johnson, F. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 4 (1989), Heft 1, S. 373-376
    academicJournal
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    Increase of low-frequency-noise-generating defects in today's CMOS and BiCMOS technologies
    Murray, D.C. ; Siabi-Shahrivar, N. ; et al.
    In: Materials Science & Engineering B, Jg. 4 (1989), Heft 1, S. 367-372
    academicJournal
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