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    A review of silicon carbide CMOS technology for harsh environments.
    Wang, Hui ; Lai, Pengyu ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 178 (2024-08-01), S. N.PAG
    academicJournal
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    A novel extended gate ISFET design for biosensing application compatible with standard CMOS.
    Gubanova, Oksana ; Poletaev, Andrey ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 177 (2024-07-01), S. N.PAG
    academicJournal
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    Design and experimental demonstration of high-voltage lateral nMOSFETs and high-temperature CMOS ICs.
    Isukapati, Sundar Babu ; Zhang, Hua ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 169 (2024), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Monolithic inverter using GaN-based CMOS-HEMTs with depletion-mode and enhancement-mode of ferroelectric charge trap gate stacked oxide layers.
    Hsieh, Hsin-Jui ; Lee, Hsin-Ying ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 169 (2024), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Selective Epitaxy of Germanium on silicon for the fabrication of CMOS compatible short-wavelength infrared photodetectors.
    Ryzhak, Diana ; Corley-Wiciak, Agnieszka Anna ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 176 (2024-06-15), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Hydrogen diffusion behavior in CH2P-molecular-ion-implanted silicon wafers for CMOS image sensors.
    Okuyama, Ryosuke ; Kadono, Takeshi ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 137 (2022), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    N- and p-type doping of transition-metal dichalcogenides by Ar plasma treatment and its application in CMOS.
    He, Jiaoyan ; Wen, Yuanbo ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 158 (2023-05-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of ammonium halide salts on wet chemical nanoscale etching and polishing of InGaAs surfaces for advanced CMOS devices.
    Samanta, Suprakash ; Jin, Seungwan ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 161 (2023-07-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Trapping analysis and countermeasure for arsenic auto-doping in 40-nm epitaxial diode arrays and CMOS integration.
    Liu, Yan ; Cheng, Yan ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 71 (2017-11-15), S. 326-331
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Device and circuit performance of Si-based accumulation-mode CGAA CMOS inverter.
    Ranjan Panda, Soumya ; Pradhan, K.P. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 66 (2017-08-01), S. 87-91
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    CMOS- compatible fabrication method of graphene-based micro devices.
    Koczorowski, W. ; Kuświk, P. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 67 (2017-08-15), S. 92-97
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Sol-gel processed Y2O3 embedded capacitor based physically unclonable function.
    Lee, Donghoon ; Lee, Jungha ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 168 (2023-12-01), S. N.PAG
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    CMOS compatible pyroelectric materials for infrared detectors.
    Ranu ; B, Uthra ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 140 (2022-03-15), S. N.PAG
    academicJournal
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    Strained-Si n-MOS surface-channel and buried Si<subscript>0.7</subscript>Ge<subscript>0.3</subscript> compressively-strained p-MOS fabricated in a 0.25μm heterostructure CMOS process
    Paul, D.J. ; Temple, M. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 8 (2005-02-01), Heft 1-3, S. 343-346
    academicJournal
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    Application of Ru-based gate materials for CMOS technology
    T˘apajna, M. ; Písec˘ny, P. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004-08-01), Heft 4-6, S. 271-276
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Preparation of SrRuO<subscript>3</subscript> films for advanced CMOS metal gates
    Fröhlich, K. ; Hušeková, K. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004-08-01), Heft 4-6, S. 265-269
    academicJournal
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    Ni and Ti silicide oxidation for CMOS applications investigated by XRD, XPS and FPP.
    Nemouchi, F. ; Gergaud, P. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 71 (2017-11-15), S. 470-476
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Benefits of XPS nanocharacterization for process development and industrial control of thin SiGe channel layers in advanced CMOS technologies.
    Fauquier, L. ; Pelissier, B. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 70 (2017-11-01), S. 105-110
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Ni(Pt)-based CMOS-compatible contacts on p-InGaAs for III–V photonic devices.
    Boyer, Flore ; Dabertrand, Karen ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 154 (2023-02-01), S. N.PAG
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    A simple CMOS process compatible high performance parallel-stacked spiral inductor for advanced RF analog circuit applications
    Chen, S.M. ; Fang, Y.K. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 13 (2010-09-01), Heft 3, S. 189-192
    academicJournal
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