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    Device and circuit performance of Si-based accumulation-mode CGAA CMOS inverter
    Prasanna Kumar Sahu ; Soumya Ranjan Panda ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 66 (2017-08-01), S. 87-91
    Online unknown
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    Jet vapor deposition nitride processing and application to advanced CMOS devices for reduction of gate leakage current and boron penetration
    Khare, M. ; Hartig, M. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 3 (2000-06-01), S. 173-178
    Online unknown
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    Work function control at metal–oxide interfaces in CMOS
    Tse, K. ; Robertson, John
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 9 (2006-12-01), S. 964-968
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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    Improvement in epitaxial quality of selectively grown Si1−xGex layers with low pattern sensitivity for CMOS applications
    Radamson, Henry H. ; Östling, Mikael ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 8 (2005-02-01), S. 25-30
    Online unknown
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    Challenges and opportunities in advanced Ge pMOSFETs
    SIMOEN, E ; MITARD, J ; et al.
    In: New Aspects of Si-and Ge-based Materials and Devices, Jg. 15 (2012), Heft 6, S. 588-600
    academicJournal
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    Ultimate vertical gate-all-around metal–oxide–semiconductor field-effect transistor and its three-dimensional integrated circuits
    Ye, Shujun ; Endoh, Tetsuo ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 134 (2021-11-01), S. 106046-106046
    Online unknown
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    Low leakage and high performance of nMOSFET using SiGe layer as a diffusion barrier
    Song, Young-Joo ; Hong, Songcheol ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004), S. 375-378
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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