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    academicJournal
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    Effect of ammonium halide salts on wet chemical nanoscale etching and polishing of InGaAs surfaces for advanced CMOS devices
    Samanta, Suprakash ; Jin, Seungwan ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 161 (2023-07-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    N- and p-type doping of transition-metal dichalcogenides by Ar plasma treatment and its application in CMOS
    He, Jiaoyan ; Wen, Yuanbo ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 158 (2023-05-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ni(Pt)-based CMOS-compatible contacts on p-InGaAs for III–V photonic devices
    Boyer, Flore ; Dabertrand, Karen ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 154 (2023-02-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
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    CMOS compatible pyroelectric materials for infrared detectors
    B, Uthra ; Sinha, Rahul ; et al.
    In: Materials science in semiconductor processing, Jg. 140 (2022)
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Pareto ANOVA analysis for CMOS 0.18 µm two-stage Op-amp
    Chachuli, Siti Amaniah Mohd ; Fasyar, Puteri Nor Aznie ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 24 (2014-08-01), S. 9-14
    academicJournal
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    Effect of ammonium halide salts on wet chemical nanoscale etching and polishing of InGaAs surfaces for advanced CMOS devices
    Samanta, Suprakash ; Jin, Seungwan ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 161 (2023-07-01), S. 107469-107469
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Hydrogen diffusion behavior in CH2P-molecular-ion-implanted silicon wafers for CMOS image sensors
    Kobayashi, Koji ; Kadono, Takeshi ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 137 (2022), S. 106211-106211
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    A simple CMOS process compatible high performance parallel-stacked spiral inductor for advanced RF analog circuit applications
    CHEN, S. M ; FANG, Y. K ; et al.
    In: Materials science in semiconductor processing, Jg. 13 (2010), Heft 3, S. 189-192
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Trapping analysis and countermeasure for arsenic auto-doping in 40-nm epitaxial diode arrays and CMOS integration.
    Liu, Yan ; Cheng, Yan ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 71 (2017-11-15), S. 326-331
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Benefits of XPS nanocharacterization for process development and industrial control of thin SiGe channel layers in advanced CMOS technologies
    Fauquier, L. ; Pelissier, B. ; et al.
    In: Materials science in semiconductor processing, Jg. 70 (2017), S. 105-110
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Ni and Ti silicide oxidation for CMOS applications investigated by XRD, XPS and FPP
    Rahman, M.K. ; Nemouchi, F. ; et al.
    In: Materials science in semiconductor processing, Jg. 71 (2017), S. 470-476
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    CMOS- compatible fabrication method of graphene-based micro devices
    Koczorowski, W. ; Kuświk, P. ; et al.
    In: Materials science in semiconductor processing, Jg. 67 (2017), S. 92-97
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Device and circuit performance of Si-based accumulation-mode CGAA CMOS inverter
    Ranjan Panda, Soumya ; Pradhan, K.P. ; et al.
    In: Materials science in semiconductor processing, Jg. 66 (2017), S. 87-91
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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