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    academicJournal
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    Fabrication, structural and electrical characterization of AlNi2Si based heterojunction grown by LPE
    Ashery, A. ; Farag, A.A.M.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 35 (2015-07-01), S. 66-74
    academicJournal
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    Structural characterization of AlxGa1―xSb grown by LPE
    JUAREZ DIAZ, G ; DIAZ-REYES, J ; et al.
    In: Materials science in semiconductor processing, Jg. 15 (2012), Heft 5, S. 472-479
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Structural characterization of AlxGa1−xSb grown by LPE
    Juárez Díaz, G. ; Díaz-Reyes, J. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 15 (2012-10-01), Heft 5, S. 472-479
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Dislocation evolution along the growth direction of 2-inch GaN crystal grown by Na-flux LPE
    Ma, Ming ; Yang, Chen ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 126 (2021-05-01), S. 105684-105684
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    serialPeriodical
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    Structural characterization of AlxGa1−xSb grown by LPE
    G. Juárez Díaz ; Martínez-Juárez, J. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 15 (2012-10-01), S. 472-479
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Lasing properties of PbSnTe/PbTe double hetero mid-infrared laser diodes grown by temperature difference method under controlled vapor pressure liquid-phase epitaxy
    YASUDA, Arata ; SUTO, Ken ; et al.
    In: Materials science in semiconductor processing, Jg. 27 (2014), S. 159-162
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Deep levels in Yb-Al co-doped GaAs grown by liquid phase epitaxy
    KANIEWSKA, M ; KRUKOVSKY, S. I ; et al.
    In: 11th International Conference on Defects - Recognition Imaging and Physics in Semiconductors (DRIP-XI), September 13-19, 2005, Beijing, China, Jg. 9 (2006), Heft 1-3, S. 366-370
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Al–Ge-paste-induced liquid phase epitaxy of Si-rich SiGe(111) for epitaxial Co-based Heusler alloys.
    Yamada, Michihiro ; Suzuki, Shota ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 174 (2024-05-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Lateral photovoltaic effect in silicon-based hybrid structures under external magnetic field.
    Bondarev, I.A. ; Rautskii, M.V. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 167 (2023-11-15), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Properties of Bi-doped PbTe epitaxial layers and pn junction diodes grown by TDM-CVP
    Yasuda, Arata ; Suto, Ken ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 6 (2003-10-01), Heft 5/6, S. 487-490
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Physical mechanism of Zn and Te doping process of In0.145Ga0.855As0.108Sb0.892 quaternary alloys.
    Ramírez-López, M. ; Cruz-Bueno, J.J. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 173 (2024-04-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    In situ observations of the dissolution of an AlN film into liquid Al using a high-temperature microscope.
    Adachi, Masayoshi ; Fujiwara, Keigo ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 142 (2022-05-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Nonstoichiometric deep levels in Mg-doped GaP epitaxial layers
    Tanno, Takenori ; Suto, Ken ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 6 (2003-10-01), Heft 5/6, S. 437-440
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A comprehensive review on zinc oxide bulk and nano-structured materials for ionizing radiation detection and measurement applications.
    Sahani, R.M. ; Dixit, Ambesh
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 151 (2022-11-15), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Growth and characterization of InAsSb layers on GaSb substrates by liquid phase epitaxy.
    Bravo-García, Y.E. ; Rodríguez-Fragoso, P. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 40 (2015-12-01), S. 253-256
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    CdTe thin films as protective surface passivation to HgCdTe layers for the IR and THz detectors.
    Sizov, F. ; Vuichyk, M. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 124 (2021-03-15), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Lasing properties of PbSnTe/PbTe double hetero mid-infrared laser diodes grown by temperature difference method under controlled vapor pressure liquid-phase epitaxy
    Suto, Ken ; Yasuda, Arata ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 27 (2014-11-01), S. 159-162
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Raman spectra of GaPAs–GaP heterostructure waveguides
    Tanabe, T. ; Suto, K. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 6 (2003-10-01), Heft 5/6, S. 445-447
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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