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    TCAD modeling of NPN-SI-BJT electrical performance improvement through SiGe extrinsic stress layer
    Al-Sa'di, Mahmoud ; Fregonese, Sebastien ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 13 (2010), Heft 5, S. 344-348
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Lateral scaling challenges for SiGe NPN BiCMOS process integration : International SiGe technology and device meeting: from materials and process technology to device and circuit design;(ISTDM 2004)
    U'Ren, G. D.
    In: MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Jg. 8 (2005), Heft NO 1-3, S. 313-317
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Lateral scaling challenges for SiGe NPN BiCMOS process integration
    U’Ren, Greg D.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 8 (2005), Heft 1, S. 313-317
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Lateral scaling challenges for SiGe NPN BiCMOS process integration
    U’Ren, Greg D.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 8 (2005-02-01), S. 313-317
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Multifunctional WSe2/MoSe2/WSe2/MoSe2 heterostructures.
    Abderrahmane, Abdelkader ; Woo, Changlim ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 169 (2024), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    A silicon/indium arsenide source structure to suppress the parasitic bipolar-induced breakdown effect in SOI MOSFETs.
    Abbasi, Abdollah ; Orouji, Ali A.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 16 (2013-12-01), Heft 6, S. 1821-1827
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    A silicon/indium arsenide source structure to suppress the parasitic bipolar-induced breakdown effect in SOI MOSFETs
    Abbasi, Abdollah ; Orouji, Ali A.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 16 (2013-12-01), S. 1821-1827
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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