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    Design and Modeling of Microbeam Gas Sensor in CMOS Technology : Electrochemical Society
    Voiculescu, I. ; Zaghloul, M. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, 2002, Heft 1, S. 1535-1535
    Konferenz
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    Laser Annealing for Ultra-shallow Junction Formation in Advanced CMOS : Electrochemical Society
    Surdeanu, R. ; Ponomarev, Y. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, 2002, Heft 1, S. 749-749
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effects of Cl~2 on In Situ Boron Doped Si~1~-~xGe~x Source/Drain Junctions for CMOS Technology Nodes Beyond 30 nm : Electrochemical Society
    Pesovic, N. ; Ozturk, M.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, 2002, Heft 1, S. 748-748
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Integration of Source-drain Contacts into Emerging Future Generation CMOS Devices : Electrochemical Society
    Roy, R. A.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, 2002, Heft 1, S. 750-750
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    High-k Gate Dielectric Materials for Advanced CMOS Devices : Electrochemical Society
    Colombo, L. ; Visokay, M. R. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, 2002, Heft 1, S. 723-723
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Molecular Beam Deposition of Alternate Gate Dielectrics for Si CMOS : Electrochemical Society
    Guha, S. ; Ragnarsson, L. A. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, 2002, Heft 1, S. 717-717
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Thermal Technologies for sub-100nm CMOS Scaling : Electrochemical Society
    Meissner, P. ; Thakur, R. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, 2002, Heft 1, S. 704-704
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Integrated Imaging Sensor Systems with CMOS Active Pixel Sensor Technology : Electrochemical Society
    Yang, G. ; Pain, B.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, 2002, Heft 1, S. 672-672
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Optical Interconnects to Silicon CMOS Using Densely-Integrated Optoelectronics : Electrochemical Society
    Keeler, G. A.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, 2002, Heft 1, S. 661-661
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Damascene Metal Gate for 70 nm Cmos Process : Electrochemical Society
    Guilaumot, B. ; Ducroquet, F. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, 2002, Heft 1, S. 614-614
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    CMOS Technology Roadmap: Approaching Up-Hill Specials : Electrochemical Society
    Stotnicki, T. ; Bouef, F.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, 2002, Heft 1, S. 608-608
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effective Intrinsic Gettering of Copper During a Sub-quarter Micron CMOS Process : Electrochemical Society
    Bae, K. M. ; Kim, J. R. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, 2002, Heft 1, S. 613-613
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    The High K Challenges in CMOS : Electrochemical Society
    Young, E.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, 2002, Heft 1, S. 609-609
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A New Junction Technology Based on Selective CVD of SiGe for CMOS Technology Nodes Beyond 30 nm : Electrochemical Society
    Ozturk, M. ; Pesovic, N. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, 2002, Heft 1, S. 611-611
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Effective Intrinsic Gettering for 200 mm and 300 mm P/P- Wafers in a Low Thermal Budget 0.13 mum Advanced CMOS Logic Process : Electrochemical Society
    Binns, M. ; Bertolini, S. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, 2002, Heft 1, S. 602-602
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Physical and Predictive Models of Ultra Thin Oxide Reliability in CMOS Devices and Circuits : Electrochemical Society
    Stathis, J.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, 2002, Heft 1, S. 578-578
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    NiSi Salicide for Sub-100 nm CMOS : Electrochemical Society
    Xiang, Q.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, 2002, Heft 1, S. 583-583
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Polysilicon CMOS TFTs Inverters with a Gate Silicon Oxide Deposited using PECVD with Hexamethyldisiloxane (HMDSO) : Electrochemical Society
    Gautier, G. ; Coulon, N. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, Jg. 2002-2, S. 638-638
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A Novel Self-Aligned Ultra-Thin Elevated Channel Low Temperature CMOS Poly-Si TFT : Electrochemical Society
    Xiong, Z. ; Liu, H. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, Jg. 2002-2, S. 636-636
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Development of Poly-Si CMOS TFT Using Counter Doping Process : Electrochemical Society
    Yang, J. ; Yu, S. ; et al.
    In: MEETING ABSTRACTS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY -ALL DIVISIONS-, Jg. 2002-2, S. 637-637
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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