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    Time-resolved reflectance difference spectroscopy of InAs growth under alternating flow conditions
    ARES, R ; HU, J ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 234-241
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Thin films of CdTe/CdS grown by MOCVD for photovoltaics
    BERRIGAN, R. A ; MAUNG, N ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 718-724
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Synthesis of CdSe quantum dot-ZnS matrix thin films via electrospray organometallic chemical vapor deposition
    HEINE, J. R ; RODRIGUEZ-VIEJO, J ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 564-568
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Surface photoabsorption interferometry studies of the growth of InP and GaP on glass
    YATES, R. F ; YATES, H. M ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 174-180
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Structural and optical emission characteristics of InGaN thin layers and the implications for growing high-quality quantum wells by MOCVD
    KOBAYASHI, J. T ; KOBAYASHI, N. P ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 252-257
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Selective-area and lateral epitaxial overgrowth of III-N materials by metalorganic chemical vapor deposition
    DUPUIS, R. D ; PARK, J ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 340-345
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Selective growth and regrowth of high Al content AlGaAs for use in BH lasers
    CHOI, W.-J ; DAPKUS, P. D
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 495-502
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Progress in the growth of mid-infrared InAsSb emitters by metal-organic chemical vapor deposition
    BIEFELD, R. M ; ALLERMAN, A. A ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 356-362
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Mechanisms of self-ordering of nanostructures in nonplanar OMCVD growth
    BIASIOL, G ; LELARGE, F ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 596-602
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Mechanisms of lateral epitaxial overgrowth of gallium nitride by metalorganic chemical vapor deposition
    MARCHAND, H ; IBBETSON, J. P ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 328-332
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    MOCVD of vertically stacked CdSe/ZnSSe quantum islands
    POHL, U. W ; ENGELHARDT, R ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 569-573
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    InGaAs and InAsP V-groove quantum wires using arsenic/phosphorus exchange preparation
    KAPPELT, M ; TÜRCK, V ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 552-557
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Growth of Ru doped semi-insulating InP by low pressure metalorganic chemical vapor deposition
    DADGAR, A ; STENZEL, O ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 69-73
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Growth of InGaAsP in a stagnation flow vertical reactor using TBP and TBA
    IN, KIM ; CHANG, D.-G ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 138-143
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Growth of GaAsN/GaAs, GaInAsN/GaAs and GaInAsN/GaAs quantum wells by low-pressure organometallic chemical vapor deposition
    BHAT, R ; CANEAU, C ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 427-437
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    GaNAs/GaInAs short-period superlattice quantum well structures grown by MOCVD using TBAs and DMHy
    MIYAMOTO, T ; SATO, S ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 421-426
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Effect of the growth rate and the barrier doping on the morphology and the properties of InGaN/GaN quantum wells
    KELLER, S ; CHICHIBU, S. F ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 258-264
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Annealing effect on C-doped InGaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition
    WATANABE, N ; SARIN KUMAR A.K ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 48-53
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    AlN and AlGaN growth using low-pressure metalorganic chemical vapor deposition
    NAKAMURA, F ; HASHIMOTO, S ; et al.
    In: Metalorganic vapour phase epitaxy 1998, Jg. 195 (1998), Heft 1-4, S. 280-285
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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