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    A 1.25-GS/s 10-bit single-channel ring amplifier-based pipelined ADC in 28-nm CMOS.
    Zhang, Heng ; Guo, Xuan ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 146 (2024), S. 106160-106160
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A new CMOS-memristor based D-latch with fewer components.
    Ge Shi 0001 ; Wang, Chenyu ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 146 (2024), S. 106154-106154
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A 28.9-38.8 μW dual-mode 10-bit column parallel single-slope ADC with minimum voltage feedback for CMOS image sensors.
    Yuan, Shengping ; Li, Zhoudeng ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 145 (2024), S. 106099-106099
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Splicable random windowing row selection circuit for large array CMOS image sensor.
    Liu, Changju ; Wu, Zhijun ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 147 (2024), S. 106175-106175
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A 16 Gb/s serial link transceiver with active inductor based CTLE and 3-tap DFE in 12-nm FinFET CMOS.
    Sun, Xinzhuo ; Ding, Jianping ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 148 (2024), S. 106216-106216
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A symmetrical fully-integrated CMOS doherty power amplifier.
    Ebazadeh, Samira ; Meghdadi, Masoud ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 148 (2024), S. 106188-106188
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A 65 nm CMOS rail-to-rail auto-zero operational amplifier based on charge pump internal power supply.
    Zhang, Jun-an ; Zhang, Chuandao ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 145 (2024), S. 106098-106098
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A low power 16-bit 50 MS/s pipeline ADC with 104 dB SFDR in 0.18 μm CMOS.
    Zhou, Xiaodan ; He, Weipeng ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 146 (2024), S. 106144-106144
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A 22 nm CMOS 2.4 GHz 40.91 dB voltage gain RX front-end design.
    Zhang, Bodong ; Luo, Xiao ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 147 (2024), S. 106164-106164
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Performance improvement for the CMOS rail-to-rail amplifier via APSO-based design and SNN's training.
    Liu, Xianming ; Wu, Shihong ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 146 (2024), S. 106131-106131
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    An 11.36-Bit 405 μW SAR-VCO ADC with single-path differential VCO-based quantizer in 65 nm CMOS.
    Dong, Siwan ; Yuan, Menghan ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 147 (2024), S. 106145-106145
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A S-band switchless bi-directional transceiver with a 52% fractional bandwidth in CMOS technology.
    Duan, Zongming ; Fang, Yun ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 143 (2024), S. 106036-106036
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 6 to 18 GHz flat high gain power amplifier using mismatch-consistent MCR technique in 40-nm CMOS.
    Wang, Hang ; Li, Zhenrong ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 143 (2024), S. 106034-106034
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Design and analysis of a high-speed low-power comparator with regeneration enhancement and through current suppression techniques from 4 K to 300 K in 65-nm Cryo-CMOS.
    Pai, Chia-Wei ; Uchida, Ken ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 144 (2024), S. 106066-106066
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 1.8 V 98.6 dB SNDR discrete-time CMOS delta-sigma ADC.
    Wei, Cong ; Chen, Chengying ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 144 (2024), S. 106069-106069
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A runtime-reconfigurable convolutional engine using tensor multiplication with multiple computing modes in 22-nm CMOS.
    Qian, Junyi ; Ji, Yuxin ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 144 (2024), S. 106075-106075
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Examining the role of tap cell in suppressing single event transient effect in 28-nm CMOS technology.
    Zhang, Chenyu ; Yan Li 0084 ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 143 (2024), S. 106055-106055
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    A 102.1-dB SNDR oversampling merge-mismatch-error-shaping SAR ADC in 180 nm CMOS.
    Xiao, Jinghong ; Song, Jiajun ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 143 (2024), S. 106053-106053
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Design and analysis of high-resolution CMOS digitally controlled oscillator with tunable transformer.
    Duan, Shize ; Li, Zhenrong ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 143 (2024), S. 106060-106060
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Response surface methodology based synchronous multi-performance optimization of CMOS low-dropout regulator.
    Bo Liu 0031 ; Wang, Pengfei ; et al.
    In: Microelectron. J., Jg. 143 (2024), S. 106045-106045
    academicJournal
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