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    Reliability challenges in CMOS technology: A manufacturing process perspective
    Teng, Qiao ; Hu, Yongkang ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 281 (2023-09-15)
    academicJournal
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    Performance comparison of vertically stacked nanosheet CFET and standard CMOS without and with parasitic channels
    Li, Jiawei ; Zhao, Mengqing ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 279 (2023-07-15)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CMOS-compatible GaN-based high electron mobility transistors with gate-first technology
    Gao, Sheng ; Xie, Zijing ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 264 (2022-08-15)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Cryo-CMOS design-technology co-optimization of low noise amplifier for silicon qubit readout
    Kang, Dongsuk ; Yu, Shimeng
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 262 (2022-06-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fully CMOS-compatible passive TiO2-based memristor crossbars for in-memory computing
    El Mesoudy, Abdelouadoud ; Lamri, Gwénaëlle ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 255 (2022-02-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Characterization of thin Al2O3/SiO2 dielectric stack for CMOS transistors
    Yan, Yiyi ; Kilchytska, Valeriya ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 254 (2022-02-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Performance improvement of chip-level CMOS-integrated ReRAM cells through material optimization
    Shahrabi, Elmira ; LaGrange, Thomas ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 214 (2019-06-01), S. 74-80
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermal stress analysis for a CMOS-MEMS microphone with various metallization and materials
    Lu, Chun-Lin ; Yeh, Meng-Kao
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 213 (2019-05-15), S. 47-54
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Improved digital performance of hybrid CMOS inverter with Si p-MOSFET and InGaAs n-MOSFET in the nanometer regime
    De, Suchismita ; Tewari, Suchismita ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 211 (2019-04-15), S. 18-25
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Digital image correlation of SEM images for surface deformation of CMOS IC
    Chen, Terry Yuan-Fang ; Chen, Tzu-Ching ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 201 (2018-12-05), S. 16-21
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Radiation-tolerance analysis of I-gate n-MOSFET according to isolation oxide module in the CMOS bulk process
    Lee, Minwoong ; Cho, Seongik ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 200 (2018-11-15), S. 45-50
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Fabrication and characterization of a hammer-shaped CMOS/BEOL-embedded nanoelectromechanical (NEM) relay
    Riverola, M. ; Uranga, A. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 192 (2018-05-15), S. 44-51
    academicJournal
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    High speed and low sensitive current-mode CMOS perceptron
    Szczęsny, Szymon
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 165 (2016-11-01), S. 41-51
    academicJournal
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    Modulation of the Schottky Barrier Height for CMOS advanced contacts
    Menghini, Mariela A. ; Homm, Pia ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 156 (2016-04-20), S. 82-85
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Self-aligned inversion-channel n-InGaAs, p-GaSb, and p-Ge MOSFETs with a common high κ gate dielectric using a CMOS compatible process
    Fu, C.H. ; Lin, Y.H. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 147 (2015-11-01), S. 330-334
    academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Fabrication of CMOS-compatible abrupt electronic switches based on vanadium dioxide
    Vitale, Wolfgang A. ; Moldovan, Clara F. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 145 (2015-09-01), S. 117-119
    academicJournal
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    Heterogeneous integration of ReRAM crossbars in 180 nm CMOS BEoL process
    Sandrini, J. ; Thammasack, M. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 145 (2015-09-01), S. 62-65
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Polycrystalline silicon gate originated CMOS device failure investigated by Scanning Spreading Resistance Microscopy
    Doering, Stefan ; Wachowiak, Andre ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 142 (2015-07-01), S. 40-46
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    On the scaling of subnanometer EOT gate dielectrics for ultimate nano CMOS technology
    Wong, Hei ; Iwai, Hiroshi
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 138 (2015-04-20), S. 57-76
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Challenges of nickel silicidation in CMOS technologies
    Breil, Nicolas ; Lavoie, Christian ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 137 (2015-04-02), S. 79-87
    academicJournal
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