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529 Treffer

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    Materials for advanced metallization MAM 2006. International workshop
    TORRES, J ; MADAR, R ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 83 (2006), Heft 11-12, S. 2036-2440
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    MAM 2007 Sponsors : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2443-2443
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    MAM 2013 March 10–13, Leuven Belgium
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 120 (2014), S. 1-2
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    MAM 2012 (selected contributions) March 11-14, Grenoble, France Minatec Campus
    MAITREJEAN, S. ; FARCY, A. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 107 (2013), S. 59-60
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    2011 MAM Committee
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 106 (2013), S. 54-54
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
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    academicJournal
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    academicJournal
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    Platinum chemical mechanical polishing (CMP) characteristics for high density ferroelectric memory applications : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Kim, N. H. ; Ko, P. J. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2702-2706
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Bonding quality monitoring applying statistical modeling of Scanning White Light Interferometry data : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Schafer, R. ; Seppanen, H. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2757-2768
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Thermally induced stresses in 3D-IC inter-wafer interconnects: A combined grain-continuum and continuum approach : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Bloomfield, M. O. ; Bentz, D. N. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2750-2756
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Impact of porous SiOCH on propagation performance measured for narrow interconnects of the 45nm node : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Gallitre, M. ; Blampey, B. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2744-2749
    Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Microfabrication-based nanomechanical laboratory for testing the ductility of submicron aluminium films : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Andre, N. ; Coulombier, M. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2714-2718
    Konferenz
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Impact of process parameters on circuit performance for the 32nm technology node : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Farcy, A. ; Gallitre, M. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2738-2743
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Impact of line-edge roughness on resistance and capacitance of scaled interconnects : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Stucchi, M. ; Bamal, M. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2733-2737
    Konferenz
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Integrated monitoring of ULK dielectrics out-gassing and measurement of pore sealing efficiency by residual gas analysis technique : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Delsol, R. ; Chapelon, L. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2719-2722
    Konferenz
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Electrical performance, reliability and microstructure of sub-45nm copper damascene lines fabricated with TEOS backfill : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Leaming-Sphabmixay, K. ; Van Olmen, J. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2681-2685
    Konferenz
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Analysis of low temperature RTP needs for IC metallization : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Malik, I. J. ; Ouaknine, M. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2729-2732
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Evolution of Cu microstructure and resistivity during thermal treatment of damascene line: Influence of line width and temperature : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Carreau, V. ; Maitrejean, S. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2723-2728
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Copper stress migration at narrow metal finger with wide lead : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Wang, R. C. ; Chang-Liao, K. S. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2697-2701
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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