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53 Treffer

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    Comparison of FIB-CVD and EB-CVD growth characteristics : International conference on micro and nano engineering; MNE 2005
    Igaki, J. y. ; Kanda, K. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 83 (2006), Heft 4/9, S. 1225-1228
    Konferenz
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    High aspect ratio nano mold fabrication by advanced edge lithography without CVD : Micro- and nano-engineering
    Sakamoto, J. ; Nishino, T. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 88 (2011), Heft 8, S. 1992-1996
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Study of CVD nanowire high-k metal interface quality for interconnect level MOS devices : Biennial international insulating films on semiconductor conference
    Morel, P.H. ; Leroux, C. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 88 (2011), Heft 7, S. 1228-1231
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Ge integration on Si via rare earth oxide buffers: From MBE to CVD (Invited Paper) : Insulating films on semiconductors; INFOS 2009
    Schroeder, T. ; Giussani, A. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 86 (2009), Heft 7/9, S. 1615-1620
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effects of plasmas on porous low dielectric constant CVD SiOCH films : Surface preparation and cleaning
    Vinogradova, E. ; Osei-Yiadom, E. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 86 (2009), Heft 2, S. 176-180
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Air gap formation by UV-assisted decomposition of CVD material : Materials for advanced metallization: MAM2008
    Pantouvaki, M. ; Humbert, A. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 85 (2008), Heft 10, S. 2071-2074
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    New precursors for CVD copper metallization : Materials for advanced metallization: MAM2008
    Norman, J. A. ; Perez, M. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 85 (2008), Heft 10, S. 2159-2163
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Effect of pressure on efficiency of UV curing of CVD-derived low-k material at different wavelengths : Materials for advanced metallization: MAM2008
    Prager, L. ; Marsik, P. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 85 (2008), Heft 10, S. 2094-2097
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    High aspect ratio via metallization for 3D integration using CVD TiN barrier and electrografted Cu seed : Materials for advanced metallization: MAM2008
    Druais, G. ; Dilliway, G. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 85 (2008), Heft 10, S. 1957-1961
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    CVD oriented growth of carbon nanotubes using AlPO4-5 and L type zeolites : International conference on micro and nano engineering
    Martin, I. ; Rius, G. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 85 (2008), Heft 5-6, S. 1202-1205
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Selective deposition of CVD iron on silicon dioxide and tungsten : Materials for advanced metallization; MAM 2006
    Low, Y. H. ; Bain, M. F. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 83 (2006), Heft 11/12, S. 2229-2233
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Cell wall cutting tool and nano-net fabrication by FIB-CVD for subcellular operations and analysis : International conference on micro and nano engineering; MNE 2005
    Kometani, R. ; Funabiki, R. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 83 (2006), Heft 4/9, S. 1642-1645
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Numerical modeling of SiC–CVD in a horizontal hot-wall reactor : Materials for advanced technologies; Silicon carbide and related materials
    Nishizawa, S. i. ; Pons, M.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 83 (2006), Heft NO 1, S. 100-103
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Low-temperature growth of polycrystalline SiC by catalytic CVD from monomethylsilane : Materials for advanced technologies; Silicon carbide and related materials
    Kaneko, T. ; Hosokawa, Y. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 83 (2006), Heft NO 1, S. 41-44
    Konferenz
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Different SiH4 treatments of CVD TiN barrier layers : Materials for advanced metallization
    Bonitz, J. ; Ecke, R. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 618-622
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Precursor chemistry for ULK CVD : Materials for advanced metallization
    Rouessac, V. ; Favennec, L. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 82 (2005), Heft NO 3-4, S. 333-340
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Effect of deposition temperature on the formation of CoSi2 through the rapid thermal annealing of CVD cobalt : Materials for advanced metallization
    Bain, M. F. ; Deo, N. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 76 (2004), Heft NO 1-4, S. 336-342
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Development of a hybrid CVD/SOD integration sequence for reliable, high performance interconnect systems : Materials for advanced metallization
    Waeterloos, J. ; Cummings, S. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 76 (2004), Heft NO 1-4, S. 46-51
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    High affinity self-assembled monolayers for copper CVD : Materials for advanced metallization
    Doppelt, P. ; Semaltianos, N. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 76 (2004), Heft NO 1-4, S. 113-118
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Ultra thin CVD TiN layers as diffusion barrier films on porous low-k materials : Materials for advanced metallization
    Bonitz, J. ; Schulz, S. E. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 76 (2004), Heft NO 1-4, S. 82-88
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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