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    Impact of roughness of TiN bottom electrode on the forming voltage of HfO2 based resistive memories
    Bonvalot, M. ; Martinie, S. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, 2019
    Online unknown
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    Chemical characterization of III–V heterostructures in 3D architecture
    Baron, Thierry ; Bassani, Franck ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 147 (2015-11-01), S. 219-222
    Online unknown
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    Dimensional characterization of biperiodic imprinted structures using optical scatterometry
    Gereige, Issam ; Pietroy, David ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 112 (2013-12-01), S. 27-30
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Dense SiOC cap for damage-less ultra low k integration with direct CMP in C45 architecture and beyond
    Chapelon, Laurent-Luc ; Hamioud, K. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 85 (2008-10-01), S. 2098-2101
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
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    Analysis of the diffraction pattern for optimal assist feature placement
    Yesilada, Emek ; Kerrien, G. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 84 (2007-05-01), S. 741-745
    Online unknown
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  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Electron beam photoresists for nanoimprint lithography
    Gourgon, Cécile ; Perret, C. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, 2002-07-01, S. 385-392
    Online unknown
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    High κ for MIM and RRAM applications: Impact of the metallic electrode and oxygen vacancies
    Vallée, Christophe ; F. El Kamel ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 86 (2009-07-01), S. 1774-1776
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
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xxl 1366 -