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    Effects of series resistance and interface properties on the operation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
    Koh, Yumin ; Kyung Ho Park ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 199 (2018-11-01), S. 40-44
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    Self-aligned inversion-channel n-InGaAs, p-GaSb, and p-Ge MOSFETs with a common high κ gate dielectric using a CMOS compatible process
    Chen, S.H. ; Brown, Gail J. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 147 (2015-11-01), S. 330-334
    Online unknown
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    Interaction of work function tuning and negative bias temperature instability for future nodes
    Pantisano, Luigi ; Kannan, Balaji ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 178 (2017-06-01), S. 258-261
    Online unknown
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    Nonlinear resistive switching features of rapid-thermal-annealed aluminum nitride dielectrics with modified charge trapping behaviors
    Wang, Jer-Chyi ; Huang, Chu-Chun ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 216 (2019-08-01), S. 111033-111033
    Online unknown
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    Comparison of electrical and physical characteristics between Gd2O3 and Ti-doped GdTixOy trapping layers
    Chun Chi Chen ; Chen, Hsiang ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 138 (2015-04-01), S. 21-26
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    Solid immersion interference lithography with conformable phase mask
    Lin, Yu-Chu ; Lin, Chun-Hung ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 123 (2014-07-01), S. 136-139
    Online unknown
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    Ge metal-oxide-semiconductor devices with Al2O3/Ga2O3(Gd2O3) as gate dielectric
    Lee, Y. J. ; Kwo, J. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 91 (2012-03-01), S. 89-92
    Online unknown
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    Microfabrication of surface acoustic wave device using UV LED photolithography technique
    Saha, Tridib ; Chu Yih Bing ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 122 (2014-06-01), S. 9-12
    Online unknown
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    Feature development on prepatterned elastomer surfaces upon ion implantation
    Sun, Y. ; Wang, Huaiyu ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 110 (2013-10-01), S. 346-349
    Online unknown
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    High-efficiency InGaN-based LEDs grown on patterned sapphire substrates using nanoimprinting technology
    Pan, Jui-Wen ; Pei Jung Tsai ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 105 (2013-05-01), S. 86-90
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A flash-based SOC technology using a split-gate cell
    Wang, Chung ; Wu, J.P ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 59 (2001-11-01), S. 203-211
    Online unknown
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    Fabrication and characterization of bilayer metal wire-grid polarizer using nanoimprint lithography on flexible plastic substrate
    Meng, Fantao ; Xu, Hongqi ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 88 (2011-10-01), S. 3108-3112
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    InGaAs and Ge MOSFETs with high κ dielectrics
    Hong, Minghwei ; Kwo, J. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 88 (2011-04-01), S. 336-341
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Fabrication of cantilever arrays with nano-aperture hollow tips for parallel microplasma etching
    Wen, Li ; Qiu Ping Zhang ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 87 (2010-12-01), S. 2475-2481
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    Mobility model extraction for surface roughness of SiGe along (110) and (100) Orientations in HKMG bulk FinFET devices
    Hsu, Sheng-Chia ; Chen, Chien-Hung ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 109 (2013-09-01), S. 357-359
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    GaN nanorod assemblies on self-implanted (111) Si substrates
    Seo, Hye-Won ; Lozano, Omar ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-04-01), S. 1714-1717
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Directly patterning metal films by nanoimprint lithography with low-temperature and low-pressure
    Lin, Chun-Hung ; Chu, Tieh-Chi ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-04-01), S. 893-896
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Vertical integrated-gate CMOS for ultra-dense IC
    Chen, Yijian ; Chu, Albert
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 83 (2006-04-01), S. 1745-1748
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Submicrometer p-type SiGe modulation-doped field-effect transistors for high speed applications
    Arafa, M. ; Khalid EzzEldin Ismail ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 35 (1997-02-01), S. 257-260
    Online unknown
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    Memory applications based on ferroelectric and high-permittivity dielectric thin films
    Taylor, D. J. ; Maniar, Papu D. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 29 (1995-12-01), S. 3-10
    Online unknown
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