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    Improved thermal stability of Ni-silicides on Si:C epitaxial layers : Materials for advanced metallization; MAM 2007
    Machkaoutsan, V. ; Mertens, S. ; et al.
    In: MICROELECTRONIC ENGINEERING, Jg. 84 (2007), Heft 11, S. 2542-2546
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Defect assessment and leakage control in Ge junctions
    B. De Jaeger ; Loo, Roger ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 125 (2014-08-01), S. 33-37
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Characterization of GeSn materials for future Ge pMOSFETs source/drain stressors
    Dekoster, Johan ; Loo, Roger ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 88 (2011-04-01), S. 342-346
    Online unknown
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    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Electrical demonstration of thermally stable Ni silicides on Si1−xCx epitaxial layers
    Thomas, Shawn G. ; Ernst Hendrik August Granneman ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 87 (2010-03-01), S. 306-310
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Structure and properties of CrSi2/Si multilayers
    Hinneberg, H.-J. ; Beddies, G. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 76 (2004-10-01), S. 331-335
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Formation of ternary Ni-silicide on relaxed and strained SiGe layers
    Caymax, Matty ; Loo, Roger ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 76 (2004-10-01), S. 285-289
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Physics and performances of accumulation-mode SOI p-MOSFET's from low (77 K) to high (150–320°C) temperatures
    Loo, T. ; Colinge, Jean-Pierre ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 19 (1992-09-01), S. 803-806
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -