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    Evaluation of (hfac)Cu(MHY) for Cu CVD
    JOULAUD, M ; ANGEKORT, C ; et al.
    In: Proceedings of the European Workshop on Materials for Advanced Metallization 2002, Vaals, The Netherlands, March 3-6, Jg. 64 (2002), Heft 1-4, S. 107-115
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  2. Detailansicht für Treffer 2 öffnen
    Evaluation of (hfac)Cu(MHY) for Cu CVD
    Mayer, D. ; Angekort, C. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 64 (2002-10-01), S. 107-115
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Single-step selective metallization of Mg/NH3 pretreated Teflon® by copper chemical vapor deposition
    DOPPELT, P ; COMBELLAS, C ; et al.
    In: Materials for Advanced Metallization MAM'99, Jg. 50 (2000), Heft 1-4, S. 383-390
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    High affinity self-assembled monolayers for copper CVD
    Doppelt, P. ; Semaltianos, N. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 76 (2004-10-01), Heft 1-4, S. 113-118
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Single-step selective metallization of Mg/NH3 pretreated Teflon® by copper chemical vapor deposition
    Combellas, Catherine ; Tai Yuan Chen ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 50 (2000), S. 383-390
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    High affinity self-assembled monolayers for copper CVD
    Semaltianos, N.G ; Doppelt, P. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 76 (2004-10-01), S. 113-118
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -