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    Enhanced photoluminescence from free-standing microstructures fabricated on MBE grown PbSe-PbSrSe MQW structure
    MUKHERJEE, S ; JAIN, S ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 85 (2008), Heft 4, S. 665-669
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
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    academicJournal
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    academicJournal
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    Enhanced photoluminescence from free-standing microstructures fabricated on MBE grown PbSe–PbSrSe MQW structure
    Shi, Zhisheng ; Mukherjee, Shaibal ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 85 (2008-04-01), S. 665-669
    Online unknown
    Zugriff:
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    academicJournal
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    10-nm-wire fabrication in GaAs/AlGaAs MQWs by Cl2 reactive ion beam etching using SiO2 sidewall masks
    Kitada, Hideki ; Sugiyama, Yoshihiro ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 21 (1993-04-01), S. 303-306
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Electro-optic characterization of InGaAs/InP MQW p-i-n modulator structures
    Wolter, K. ; Mikkelsen, H. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 19 (1992-09-01), S. 895-898
    Online unknown
    Zugriff:
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    AlGaN/GaN high electron mobility transistors based on InGaN/GaN multi-quantum-well structures with photo-chemical vapor deposition of SiO2 dielectrics
    LEE, Kai-Hsuan ; CHANG, Ping-Chuan ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 104 (2013), S. 105-109
    academicJournal
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    Improved device performance of AlGaInP-based vertical light-emitting diodes with low-n ATO antireflective coating layer
    HEE KWAN, LEE ; MYUNG SUB, KIM ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 104 (2013), S. 29-32
    academicJournal
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    academicJournal
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    academicJournal
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    AlGaN/GaN high electron mobility transistors based on InGaN/GaN multi-quantum-well structures with photo-chemical vapor deposition of SiO<subscript>2</subscript> dielectrics
    Lee, Kai-Hsuan ; Chang, Ping-Chuan ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 104 (2013-04-01), S. 105-109
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
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    Photoluminescence enhancement of GaN-based LEDs structure with nano-grayscale multiple quantum wells using electron beam lithography
    Jung, Sang Hyun ; Song, Keun Man ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 105 (2013-05-01), S. 77-80
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Photoluminescence enhancement of GaN-based LEDs structure with nano-grayscale multiple quantum wells using electron beam lithography
    SANG HYUN, JUNG ; KEUN MAN, SONG ; et al.
    In: Microelectronic engineering, Jg. 105 (2013), S. 77-80
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Influence of GaInNAs/GaAs QWs composition profile on the transitions selection rules.
    Pucicki, Damian ; Bielak, Katarzyna ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 161 (2016-08-01), S. 13-17
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    3D defect distribution induced by focused ion beam irradiation at variable temperatures in a GaAsGaAlAs multi quantum well structure
    Gierak, J. ; Ben Assayag, G. ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 30 (1996), Heft 1-4, S. 253-256
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Asymmetric line-shape of optical transitions in multiple quantum wells
    WORREN, T ; OZANYAN, K. B ; et al.
    In: LDSD'97, Jg. 43-44 (1998), S. 277-285
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Influence of GaInNAs/GaAs QWs composition profile on the transitions selection rules
    Bielak, K. ; Pucicki, Damian ; et al.
    In: Microelectronic Engineering, Jg. 161 (2016-08-01), S. 13-17
    Online unknown
    Zugriff:
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    Wie komme ich dran?
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