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    Hot carrier and soft breakdown effects on LNA performance for ultra wideband communications
    XIAO, E ; GHOSH, P. P ; et al.
    In: 16th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2005), Arcachon, France, October 10-14, Jg. 45 (2005), Heft 9-11, S. 1382-1385
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Implementation of plug-and-play ESD protection in 5.5 GHz 90 nm RF CMOS LNAs : Concepts, constraints and solutions
    THIJS, S ; NATARAJAN, M. I ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 46 (2006), Heft 5-6, S. 702-712
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  3. Detailansicht für Treffer 3 öffnen
    Reliability evaluation and redesign of LNA
    LIN, Wei-Cheng ; DU, Long-Jei ; et al.
    In: Reliability of electron devices, failure physics and analysis, Jg. 44 (2004), Heft 9-11, S. 1727-1732
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Impact of strain on hot electron reliability of dual-band power amplifier and integrated LNA-mixer RF performances
    YUAN, J. S ; MA, J ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 50 (2010), Heft 6, S. 807-812
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A fully on-chip ESD protection UWB-band low noise amplifier using GaAs enhancement-mode dual-gate pHEMT technology
    CHIN, Hsien-Chin ; CHENG, Chia-Shih ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 51 (2011), Heft 12, S. 2137-2142
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Design of differential low-noise amplifier with cross-coupled-SCR ESD protection scheme
    LIN, Chun-Yu ; KER, Ming-Dou ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 50 (2010), Heft 6, S. 831-838
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Hot-carrier reliability of submicron NMOSFETs and integrated NMOS low noise amplifiers
    NASEH, Sasan ; DEEN, M. Jamal ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 46 (2006), Heft 2-4, S. 201-212
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    ESD-RF co-design methodology for the state of the art RF-CMOS blocks
    VASSILEV, V ; THIJS, S ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 45 (2005), Heft 2, S. 255-268
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Electromigration reliability of interconnections in RF low noise amplifier circuit
    FEIFEI, HE ; CHER MING, TAN
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 52 (2012), Heft 2, S. 446-454
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A novel co-design and evaluation methodology for ESD protection in RFIC
    LI, LI ; HONGXIA, LIU ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 52 (2012), Heft 11, S. 2632-2639
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Electro-thermal stress effect on InGaP/GaAs heterojunction bipolar low-noise amplifier performance
    XIANG, LIU ; YUAN, Jiann-Shiun ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 50 (2010), Heft 3, S. 365-369
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effects of package and process variation on 2.4 GHz analog integrated circuits
    SZYMANSKI, Andrzej ; KURJATA-PFITZNER, Ewa
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 46 (2006), Heft 1, S. 189-193
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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