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    Engineering buried oxide in dopant-segregated Schottky barrier SOI MOSFET for nanoscale CMOS circuits
    PATIL, Ganesh C ; QURESHI, S
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 53 (2013), Heft 3, S. 349-355
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A new approach to the modeling of oxide breakdown on CMOS circuits
    FERNANDEZ, R ; RODRIGUEZ, R ; et al.
    In: Reliability of electron devices, failure physics and analysis, Jg. 44 (2004), Heft 9-11, S. 1519-1522
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impact of gate-leakage currents on CMOS circuit performance
    MARRAS, Alessandro ; DE MUNARI, Ilaria ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 45 (2005), Heft 3-4, S. 499-506
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Channel hot carrier effects in n-MOSFET devices of advanced submicron CMOS technologies
    LA ROSA, Giuseppe ; RAUCH, Stewart E
    In: 14TH Workshop on dielectrics in microelectronics (WoDiM 2006), Jg. 47 (2007), Heft 4-5, S. 552-558
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Degradation of static and dynamic behavior of CMOS inverters during constant and pulsed voltage stress
    GERARDIN, S ; GRIFFONI, A ; et al.
    In: 17th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2006), Wuppertal, Germany, 3-6 October 2006, Jg. 46 (2006), Heft 9-11, S. 1669-1672
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of ESD failure mechanism in 65nm bulk CMOS ESD NMOSFETs with ESD implant
    ALVAREZ, D ; ABOU-KHALIL, M. J ; et al.
    In: 17th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2006), Wuppertal, Germany, 3-6 October 2006, Jg. 46 (2006), Heft 9-11, S. 1597-1602
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    HKMG CMOS technology qualification: The PBTI reliability challenge
    IOANNOU, Dimitris P
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 8, S. 1489-1499
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The impact of CMOS technology scaling on mosfets second breakdown: Evaluation of ESD robustness
    SEMENOV, O ; SARBISHAEI, H ; et al.
    In: Reliability of electron devices, failure physics and analysis, Jg. 44 (2004), Heft 9-11, S. 1817-1822
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Numerical analysis of localised charges impact on static and dynamic performance of nanoscale cylindrical surrounding gate MOSFET based CMOS inverter
    GAUTAM, Rajni ; SAXENA, Manoj ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 53 (2013), Heft 2, S. 236-244
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Scaling the bulk-driven MOSFET into deca-nanometer bulk CMOS processes
    URBAN, Christopher ; MOON, James E ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 51 (2011), Heft 4, S. 727-732
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Strain engineering for bumping over IPs: Numerical investigations of thermo-mechanical stress induced mobility variations for CMOS 32 nm and beyond
    FIORI, Vincent ; GALLOIS-GARREIGNOT, Sébastien ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 53 (2013), Heft 2, S. 229-235
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A review of CMOS latchup and electrostatic discharge (ESD) in bipolar complimentary MOSFET (BiCMOS) Silicon Germanium technologies: Part II-Latchup
    VOLDMAN, Steven H
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 45 (2005), Heft 3-4, S. 437-455
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Impact of wafer charging on hot carrier reliability and optimization of latent damage detection methodology in advanced CMOS technologies
    GOGUENHEIM, D ; BRAVAIX, A ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 45 (2005), Heft 3-4, S. 487-492
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A MOSFET power supply clamp with feedback enhanced triggering for ESD protection in advanced CMOS technologies
    SMITH, Jeremy C ; BOSELLI, Gianluca
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 45 (2005), Heft 2, S. 201-210
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Effects of inhomogeneous negative bias temperature stress on p-channel MOSFETs of analog and RF circuits
    SCHLÜNDER, Christian ; BREDERLOW, Ralf ; et al.
    In: Negative-Bias-Temperature Instability (NBTI) in MOS devices special sectio n, Jg. 45 (2005), Heft 1, S. 39-46
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Impact of single pMOSFET dielectric degradation on NAND circuit performance
    ESTRADA, D ; OGAS, M. L ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 48 (2008), Heft 3, S. 354-363
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Improved device variability in scaled MOSFETs with deeply retrograde channel profile : RELIABILITY AND VARIABILITY OF DEVICES FOR CIRCUITS AND SYSTEMS
    WOO, Jason ; CHIEN, P. Y ; et al.
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 6-7, S. 1090-1095
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Hot carrier and soft breakdown effects on LNA performance for ultra wideband communications
    XIAO, E ; GHOSH, P. P ; et al.
    In: 16th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2005), Arcachon, France, October 10-14, Jg. 45 (2005), Heft 9-11, S. 1382-1385
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Monte Carlo Static Timing Analysis with statistical sampling
    MERRETT, Michael ; ZWOLINSKI, Mark
    In: Microelectronics and reliability, Jg. 54 (2014), Heft 2, S. 464-474
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Hot-carrier degradation analysis based on ring oscillators
    JINGCHAO, WANG ; OLTHOF, Edgar ; et al.
    In: 17th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2006), Wuppertal, Germany, 3-6 October 2006, Jg. 46 (2006), Heft 9-11, S. 1858-1863
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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