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    A 28.9–38.8 μW dual-mode 10-bit column parallel single-slope ADC with minimum voltage feedback for CMOS image sensors.
    Yuan, Shengping ; Li, Zhoudeng ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 145 (2024-03-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Performance improvement for the CMOS rail-to-rail amplifier via APSO-based design and SNN's training.
    Liu, Xianming ; Wu, Shihong ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 146 (2024-04-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Design of a 39-GHz compact bi-directional variable gain amplifier in 65-nm CMOS.
    Chen, Xin ; Cheng, Depeng ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 142 (2023-12-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A new CMOS-memristor based D-latch with fewer components.
    Shi, Ge ; Wang, Chenyu ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 146 (2024-04-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis and optimization design of control signal line parasitic effects on streaking phenomenon in CMOS image sensor.
    Zhang, Yuanmeng ; Xu, Jiangtao ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 133 (2023-03-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A 6 to 18 GHz flat high gain power amplifier using mismatch-consistent MCR technique in 40-nm CMOS.
    Wang, Hang ; Li, Zhenrong ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 143 (2024), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    An 11.36-Bit 405 μW SAR-VCO ADC with single-path differential VCO-based quantizer in 65 nm CMOS.
    Dong, Siwan ; Yuan, Menghan ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 147 (2024-05-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A 1.25-GS/s 10-bit single-channel ring amplifier-based pipelined ADC in 28-nm CMOS.
    Zhang, Heng ; Guo, Xuan ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 146 (2024-04-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A low power 16-bit 50 MS/s pipeline ADC with 104 dB SFDR in 0.18 μm CMOS.
    Zhou, Xiaodan ; He, Weipeng ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 146 (2024-04-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    A 12-bit, 100 kS/s, PVT robust SAR ADC in 65 nm CMOS process.
    Ahmadlou, Mohammad ; Dundar, Gunhan ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 149 (2024-07-01), S. N.PAG
    academicJournal
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    A self-compensated approach for ramp kickback noise in CMOS image sensor column parallel single slope ADC.
    Guo, Zhongjie ; Yu, Ningmei ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 120 (2022-02-01), S. N.PAG
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    A 6–18 GHz bulk CMOS three-stage gain-compensation amplifier for phased-array radar system.
    Chen, Bofan ; Li, Zhiqun ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 139 (2023-09-01), S. N.PAG
    academicJournal
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A 65 nm CMOS rail-to-rail auto-zero operational amplifier based on charge pump internal power supply.
    Zhang, Jun-an ; Zhang, Chuandao ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 145 (2024-03-01), S. N.PAG
    academicJournal
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A runtime-reconfigurable convolutional engine using tensor multiplication with multiple computing modes in 22-nm CMOS.
    Qian, Junyi ; Ji, Yuxin ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 144 (2024-02-01), S. N.PAG
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    A 1.8 V 98.6 dB SNDR discrete-time CMOS delta-sigma ADC.
    Wei, Cong ; Chen, Chengying ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 144 (2024-02-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Design and analysis of high-resolution CMOS digitally controlled oscillator with tunable transformer.
    Duan, Shize ; Li, Zhenrong ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 143 (2024), S. N.PAG
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A 102.1-dB SNDR oversampling merge-mismatch-error-shaping SAR ADC in 180 nm CMOS.
    Xiao, Jinghong ; Song, Jiajun ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 143 (2024), S. N.PAG
    academicJournal
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Static noise margin trade-offs for 6T-SRAM cell sizing in 28 nm UTBB FD-SOI CMOS technology.
    Olivera, Fabián ; Petraglia, Antonio
    In: Microelectronics Journal, Jg. 78 (2018-08-01), S. 94-100
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    High performance CMOS level up shifter with full–scale 1.2 V output voltage.
    García, José–Carlos ; Montiel–Nelson, Juan A. ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 78 (2018-08-01), S. 11-15
    academicJournal
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Design and optimization of a new CMOS high-speed H–H neuron.
    Guo, Chunbing ; Xiao, Yicheng ; et al.
    In: Microelectronics Journal, Jg. 136 (2023-06-01), S. N.PAG
    academicJournal
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