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244 Treffer

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    Transient interferometric mapping of carrier plasma during external transient latch-up phenomena in latch-up test structures and I/O cells processed in CMOS technology : EOS/ESD; Electrostatic discharge reliability
    Heer, M. ; Domanski, K. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 49 (2009), Heft 12, S. 1455-1464
    Konferenz
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    Design optimization of gate-silicided ESD NMOSFETs in a 45nm bulk CMOS technology : EOS/ESD; Electrostatic discharge reliability
    Alvarez, D. ; Chatty, K. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 49 (2009), Heft 12, S. 1417-1423
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Impact and damage on deep sub-micron CMOS technology induced by substrate current due to ESD stress : Reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Galy, P. ; Dudit, S. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 49 (2009), Heft 9/11, S. 1107-1114
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Modelling and experimental verification of the impact of negative bias temperature instability on CMOS inverter : Reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Berbel, N. ; Fernandez, R. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 49 (2009), Heft 9/11, S. 1048-1051
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    CMOS logic gate performance variability related to transistor network arrangements : Reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Da Silva, D.N. ; Reis, A.I. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 49 (2009), Heft 9/11, S. 977-981
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Low-capacitance ESD protection design for high-speed I/O interfaces in a 130-nm CMOS process : International Microelectronics and Packaging Society; IMAPS-CPMT Poland 2008
    Hsiao, Y. W. ; Ker, M. D.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 49 (2009), Heft 6, S. 650-659
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    An analytical model for hot carrier degradation in nanoscale CMOS suitable for the simulation of degradation in analog IC applications : Reliability of electron devices, failure physics and analysis ESREF
    Maricau, E. ; De Wit, P. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 48 (2008), Heft 8/9, S. 1576-1580
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    RF CMOS reliability simulations : Reliability of electron devices, failure physics and analysis ESREF
    Sasse, G. T. ; Acar, M. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 48 (2008), Heft 8/9, S. 1581-1585
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    ESD issues in advanced CMOS bulk and FinFET technologies: Processing, protection devices and circuit strategies : Reliability of electron devices, failure physics and analysis ESREF
    Russ, C.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 48 (2008), Heft 8/9, S. 1403-1411
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Reliability aspects of a radiation detector fabricated by post-processing a standard CMOS chip : Reliability of electron devices, failure physics and analysis ESREF
    Salm, C. ; Blanco Carballo, V. M. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 48 (2008), Heft 8/9, S. 1139-1143
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Cu/low-k dielectric TDDB reliability issues for advanced CMOS technologies : Reliability of electron devices, failure physics and analysis ESREF
    Chen, F. ; Bravo, O. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 48 (2008), Heft 8/9, S. 1375-1383
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Effect of physical defect on shmoos in CMOS DSM technologies : Reliability of electron devices, failure physics and analysis ESREF
    Machouat, A. ; Haller, G. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 48 (2008), Heft 8/9, S. 1333-1338
    Konferenz
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    Advanced backside failure analysis in 65nm CMOS technology : European symposium on reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Bianic, S. ; Allemand, S. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 47 (2007), Heft NO 9-11, S. 1550-1554
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Active ESD protection circuit design against charged-device-model ESD event in CMOS integrated circuits : European symposium on reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Chen, S. H. ; Ker, M. D.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 47 (2007), Heft NO 9-11, S. 1502-1505
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Holding voltage investigation of advanced SCR-based protection structures for CMOS technology : European symposium on reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Tazzoli, A. ; Marino, F. A. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 47 (2007), Heft NO 9-11, S. 1444-1449
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Oxide reliability below 3nm for advanced CMOS: Issues, characterization, and solutions : European symposium on reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Goguenheim, D. ; Pic, D. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 47 (2007), Heft NO 9-11, S. 1322-1329
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    ESD protection strategies in advanced CMOS SOI ICs : European symposium on reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Khazhinsky, M. G.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 47 (2007), Heft NO 9-11, S. 1313-1321
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Passivation issues in active pixel CMOS image sensors : Workshop on dielectrics in microelectronics (WoDiM 2006)
    Regolini, J. L. ; Benoit, D. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 47 (2007), Heft NO 4-5, S. 739-742
    Konferenz
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Channel hot carrier effects in n-MOSFET devices of advanced submicron CMOS technologies : Workshop on dielectrics in microelectronics (WoDiM 2006)
    La Rosa, G. ; Rauch, S. E.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 47 (2007), Heft NO 4-5, S. 552-558
    Konferenz
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Optimization of HfSiON using a design of experiment (DOE) approach on 0.45V Vt Ni-FUSI CMOS transistors : Workshop on dielectrics in microelectronics (WoDiM 2006)
    Rothschild, A. ; Mitsuhashi, R. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 47 (2007), Heft NO 4-5, S. 521-524
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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xl 1200 - 1366
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