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    A comparative radiation analysis of reconfigurable memory technologies: FinFET versus bulk CMOS
    Azimi, S. ; De Sio, C. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 138 (2022-11-01), S. 114733-114733
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    Contrast of latch-up induced by pulsed gamma rays in CMOS circuits after neutron irradiation and TID accumulation
    Yang, Shanchao ; Chen, Wei ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 98 (2019-07-01), S. 42-48
    Online unknown
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    A comparative study of lifetime reliability of planar MOSFET and FinFET due to BTI for the 16 nm CMOS technology node based on reaction-diffusion model
    Soin, Norhayati ; Mohamed Mounir Mahmoud
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 97 (2019-06-01), S. 53-65
    Online unknown
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    Investigation of CMOS reliability in 28 nm through BTI and HCI extraction
    Coutet, Julien ; Marc, François ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 146 (2023-07-01), S. 115007-115007
    Online unknown
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    Determination of DC equivalent hot carrier stress times in scaled CMOS devices using novel AC stress methodology
    Kerber, Andreas ; Nigam, T.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 93 (2019-02-01), S. 98-101
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    Angular dependency on heavy-ion-induced single-event multiple transients (SEMT) in 65 nm twin-well and triple-well CMOS technology
    Chen, Jianjun ; Fang, Liang ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 91 (2018-12-01), S. 278-282
    Online unknown
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    Analysis of 6 T SRAM cell in sub-45 nm CMOS and FinFET technologies
    Cleiton Magano Marques ; Almeida, Roberto B. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, 2018-09-01, S. 196-202
    Online unknown
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    Single-event transient effects on dynamic comparator in 28 nm FDSOI CMOS technology
    Lirida Alves de Barros Naviner ; Cai, Hao ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, 2018-09-01, S. 965-968
    Online unknown
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    Simulation, characterization and implementation of a new SCR-based device with a turn-off capability for EOS-immune ESD power supply clamps in advanced CMOS technology nodes
    Guitard, Nicolas ; Galy, Philippe ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 85 (2018-06-01), S. 176-189
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    SEE and TID characterization of an 8 Gbps SST transmitter in a 28 nm bulk CMOS technology
    Liang, Bin ; Chen, Jianjun ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 142 (2023-03-01), S. 114909-114909
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Intrinsic ESD robustness on new high voltage N/PMOS devices in 28 nm FDSOI UTBB CMOS technology through TLP/VFTLP characterizations
    Jacquier, Blaise ; Haendler, Sebastien ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 126 (2021-11-01), S. 114370-114370
    Online unknown
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Study of the operation and SET robustness of a CMOS pulse stretching circuit
    Kraemer, Rolf ; Andjelkovic, Marko ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 82 (2018-03-01), S. 100-112
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    Bias temperature instability in scaled CMOS technologies: A circuit perspective
    Kerber, Andreas ; Nigam, T.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 81 (2018-02-01), S. 31-40
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    CMOS micro-heater design for direct integration of carbon nanotubes
    Aasmundtveit, Knut E. ; Roy, Avisek ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 79 (2017-12-01), S. 517-525
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    Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C)
    Safonov, Sergey O. ; Stakhin, Veniamin G. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 79 (2017-12-01), S. 416-425
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Layout-based mitigation of single-event transient for monolithic 3D CMOS integrated circuits
    Yang, Can ; Wang, Guoqing ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 126 (2021-11-01), S. 114210-114210
    Online unknown
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A double snapback SCR ESD protection scheme for 28 nm CMOS process
    Wong, Hei ; Jin, Hao ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 84 (2018-05-01), S. 20-25
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Effect of fin shape of tapered FinFETs on the device performance in 5-nm node CMOS technology
    Yang, Hao ; Erry Dwi Kurniawan ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 83 (2018-04-01), S. 254-259
    Online unknown
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Investigation on NBTI-induced dynamic variability in nanoscale CMOS devices: Modeling, experimental evidence, and impact on circuits
    Wang, Yangyuan ; Ren, Pengpeng ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 81 (2018-02-01), S. 101-111
    Online unknown
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    Exploration of robustness limits and ESD EMI impact in a protection device for advanced CMOS technology
    Schoenmaker, Wim ; Galy, Philippe
    In: Microelectronics Reliability, 2017-09-01, S. 680-684
    Online unknown
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