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    academicJournal
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    Reliability forecasting and Accelerated Lifetime Testing in advanced CMOS technologies
    Singh, Karan ; Kalra, Shruti
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 151 (2023-12-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    TLP/VFTLP investigation on eNVM 1T1R PCM in FD-SOI UTBB CMOS technology at room temperature
    Galy, Ph. ; Jacquier, B. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 148 (2023-09-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Finite element simulation-based prediction of CMOS-compatible pyroelectric material in MEMS IR detectors
    Ranu ; Agarwal, Pankaj B.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 147 (2023-08-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A high-speed quadruple-node-upset-tolerant latch in 22 nm CMOS technology
    Huang, Zhengfeng ; Zhang, Yan ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 147 (2023-08-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    SEE and TID characterization of an 8 Gbps SST transmitter in a 28 nm bulk CMOS technology
    Liang, Bin ; Chen, Jianjun ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 142 (2023-03-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Simulation of transient radiation upset in a 0.18-μm CMOS SRAM by accurately modeling a 6T memory cell
    Zhao, Zhenguo ; Li, Guangrong ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 139 (2022-12-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A comparative radiation analysis of reconfigurable memory technologies: FinFET versus bulk CMOS
    Azimi, S. ; De Sio, C. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 138 (2022-11-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Intrinsic ESD robustness on new high voltage N/PMOS devices in 28 nm FDSOI UTBB CMOS technology through TLP/VFTLP characterizations
    Galy, Ph. ; Jacquier, B. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 126 (2021-11-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Impact of single-defects on the variability of CMOS inverter circuits
    Waltl, Michael ; Waldhoer, Dominic ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 126 (2021-11-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Hot-carrier evaluation of a zero-cost transistor developed via process optimization in an embedded non-volatile memory CMOS technology
    Devoge, P. ; Aziza, H. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 126 (2021-11-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Sub-10 MeV proton-induced single-event transients in 65 nm CMOS inverter chains
    Wu, Zhenyu ; Chi, Yaqing ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 125 (2021-10-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    A soft-error-tolerant, 1.25 GHz to 3.125 GHz, 3.18 ps RMS-jitter CPPLL in 40 nm CMOS process
    Guo, Qiancheng ; Guo, Yang ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 124 (2021-09-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Single Event Effects in 0.18 μm Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SEU and SEFI
    Cai, Yu long ; Guo, Qi ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 117 (2021-02-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Nonlinear error analysis and calibration model for cyclic ADCs in large array CMOS image sensors
    Xu, Jiangtao ; Li, Tingting ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 117 (2021-02-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Layout-based mitigation of single-event transient for monolithic 3D CMOS integrated circuits
    Zhang, Junjun ; Liu, Fanyu ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, 2021
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ionizing radiation damage in 65 nm CMOS technology: Influence of geometry, bias and temperature at ultra-high doses
    Borghello, G. ; Lerario, E. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 116 (2021)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Single Event Upsets characterization of 65 nm CMOS 6T and 8T SRAM cells for ground level environment
    Malagón, Daniel ; Torrens, Gabriel ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 110 (2020-07-01)
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Analysis of signal attenuation in global shutter CMOS image sensor
    Xu, Jiangtao ; Li, Feng ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 109 (2020-06-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Self-heating aware EM reliability prediction of advanced CMOS technology by kinetic Monte Carlo method
    Cai, Linlin ; Chen, Wangyong ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 107 (2020-04-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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