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356 Treffer

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    The advent of MEMS in space
    Lafontan, X. ; Pressecq, F. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 43 (2003-07-01), Heft 7, S. 1061-1083
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A reliable solderless connection technique for high I/O counts ceramic land grid array package for space applications.
    Sauveplane, J.B. ; Retho, P. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 55 (2015-08-01), Heft 9/10, S. 1815-1820
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Life test result on 4 channel VCELs chip used in 28Gb/s data transfer in space application
    Joly, S. ; Ouattara, M. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 150 (2023-11-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Methodology of backside preparation applied on a MRAM to lead a logical investigation with a near-field probe
    Dumas, Louise ; Villeneuve-Faure, Christina ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 150 (2023-11-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Reliability evaluation of a 0.25 μm SiGe technology for space applications
    Robin, C. ; Rochette, S. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 100-101 (2019-09-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    TCAD simulation of radiation-induced leakage current in 1T1C SDRAM
    Nguyen, Hoang T. ; Rodriguez, A. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 88-90 (2018-09-01), S. 974-978
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ensure an original and safe “fail-to-open” mode in planar and trench power SiC MOSFET devices in extreme short-circuit operation
    Boige, F. ; Richardeau, F. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 88-90 (2018-09-01), S. 598-603
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Lock-in thermography for defect localization and thermal characterization for space application
    Mousnier, M. ; Sanchez, K. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 88-90 (2018-09-01), S. 67-74
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Gate defects analysis in AlGaN/GaN devices by mean of accurate extraction of the Schottky Barrier Height, electrical modelling, T-CAD simulations and TEM imaging
    Tartarin, J.G. ; Lazar, O. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 76-77 (2017-09-01), S. 344-349
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Pattern image enhancement by automatic focus correction
    Boscaro, A. ; Jacquir, S. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 76-77 (2017-09-01), S. 249-254
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Simulation of the thermal stress induced by CW 1340 nm laser on 28 nm advanced technologies
    Penzes, M. ; Dudit, S. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 76-77 (2017-09-01), S. 227-232
    academicJournal
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Investigation on damaged planar-oxide of 1200 V SiC power MOSFETs in non-destructive short-circuit operation
    Boige, F. ; Richardeau, F. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 76-77 (2017-09-01), S. 500-506
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Continuous time-domain RF waveforms monitoring under overdrive stress condition of AlGaN/GaN HEMTs
    Benvegnù, A. ; Laurent, S. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 64 (2016-09-01), S. 535-540
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Effects of voltage stress on the single event upset (SEU) response of 65 nm flip flop
    Chua, C.T. ; Ong, H.G. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 64 (2016-09-01), S. 199-203
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Single Event Transient acquisition and mapping for space device Characterization
    Pilia, Roberta ; Bascoul, Guillaume ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 64 (2016-09-01), S. 73-78
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Automatic process for time-frequency scan of VLSI
    Boscaro, A. ; Jacquir, S. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 64 (2016-09-01), S. 299-305
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    A way to implement the electro-optical technique to inertial MEMS
    Melendez, K. ; Desmoulin, A. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 55 (2015-08-01), Heft 9-10, S. 1916-1919
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    Correlation between transient evolutions of the gate and drain currents in AlGaN/GaN technologies
    Lazăr, O. ; Tartarin, J.G. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 55 (2015-08-01), Heft 9-10, S. 1714-1718
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Upscreening of LED COTS for space science applications
    Kiryukhina, K. ; Perez, G. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 55 (2015-08-01), Heft 9-10, S. 1770-1774
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Unsupervised learning for signal mapping in dynamic photon emission
    Chef, S. ; Jacquir, S. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 55 (2015-08-01), Heft 9-10, S. 1564-1568
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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