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    The influence of microwave pulse width on the thermal burnout effect of an LNA constructed by a GaAs PHEMT
    Du, Zhengwei ; Yi, Shipeng
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 85 (2018-06-01), S. 140-147
    Online unknown
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    Effect of TID electronradiation on SiGe BiCMOS LNAs at V-band
    Stander, Tinus ; Flavien Sagouo Minko
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 112 (2020-09-01), S. 113750-113750
    Online unknown
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    Hot carrier and soft breakdown effects on LNA performance for ultra wideband communications
    Yuan, Jiann-Shiun ; Xiao, Enjun ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 45 (2005-09-01), S. 1382-1385
    Online unknown
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    Implementation of plug-and-play ESD protection in 5.5GHz 90nm RF CMOS LNAs—Concepts, constraints and solutions
    Linten, Dimitri ; Decoutere, Stefaan ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006-05-01), S. 702-712
    Online unknown
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    Study on high power microwave nonlinear effects and degradation characteristics of C-band low noise amplifier
    Qi, An ; Yintang, Yang ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 128 (2022), S. 114427-114427
    Online unknown
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    Heavy ion impact on narrow band cascoded low noise amplifier
    Srinivasan, R. ; Rajendiran, P.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 91 (2018-12-01), S. 31-37
    Online unknown
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    Radiation response of SiGe low noise amplifier irradiated with different energy protons
    Shuangying, Liu ; Li, Zhuoqi ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 127 (2021-12-01), S. 114396-114396
    Online unknown
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    Investigation and application of vertical NPN devices for RF ESD protection in BiCMOS technology
    Wei Hao Fu ; Lin, Chun-Yu ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 83 (2018-04-01), S. 271-280
    Online unknown
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    Study of microwave damage effect on HEMT low noise amplifier under different drain voltage bias
    Yan, Tao ; Zhang, Yonghua ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 82 (2018-03-01), S. 228-234
    Online unknown
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    Ku band damage characteristics of GaAs pHEMT induced by a front-door coupling microwave pulse
    Fan, Qingyang ; Yu, Xinhai ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 66 (2016-11-01), S. 32-37
    Online unknown
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Damage effects on low noise amplifiers with microwave pulses
    Du, Guangxing ; Wang, Honggang ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 60 (2016-05-01), S. 41-47
    Online unknown
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    Analysis of high power microwave induced degradation and damage effects in AlGaAs/InGaAs pHEMTs
    Chai, Changchun ; Fan, Qingyang ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 55 (2015-07-01), S. 1174-1179
    Online unknown
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    Burnout properties of microwave pulse injected on GaAs PHEMT
    Zhang, Cunbo ; Zhang, Jiande ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 55 (2015-02-01), S. 508-513
    Online unknown
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    A fully on-chip ESD protection UWB-band low noise amplifier using GaAs enhancement-mode dual-gate pHEMT technology
    Cheng, Chia-Shih ; Chiu, Hsien-Chin ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 51 (2011-12-01), S. 2137-2142
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Design of differential low-noise amplifier with cross-coupled-SCR ESD protection scheme
    Yuan Wen Hsiao ; Lin, Chun-Yu ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 50 (2010-06-01), S. 831-838
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    A plug-and-play wideband RF circuit ESD protection methodology: T-diodes
    Thijs, Steven ; Borremans, Jonathan ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 49 (2009-12-01), S. 1440-1446
    Online unknown
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    Hot-carrier reliability of submicron NMOSFETs and integrated NMOS low noise amplifiers
    M. Jamal Deen ; Naseh, Sasan ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006-02-01), S. 201-212
    Online unknown
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  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    ESD–RF co-design methodology for the state of the art RF-CMOS blocks
    Maes, Herman ; Segura, P. L. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 45 (2005-02-01), S. 255-268
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    A power-constrained design strategy for CMOS tuned low noise amplifiers
    Mitrea, Octavian ; Glesner, Manfred
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 44 (2004-05-01), S. 877-883
    Online unknown
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  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Ka-band InP high electron mobility transistor monolithic microwave integrated circuit reliability
    Schmitz, Adele E. ; Walden, R.H. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 41 (2001-08-01), S. 1115-1122
    Online unknown
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