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    Cut off frequency and transit time analysis of lightly doped drain (LDD) MOSFETs
    Gupta, Rashmi ; Haldar, Subhasis ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 38 (1998-12-01), S. 1955-1961
    Online unknown
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    Hot-hole-induced interface states build-up on deep-submicrometer LDD nMOSFETs
    Campabadal, Francesca ; Joan Marc Rafi
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 39 (1999-06-01), S. 869-874
    Online unknown
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    New understanding of LDD NMOS hot-carrier degradation and device lifetime at cryogenic temperatures
    Lacoe, R.C. ; Brown, S. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 37 (1997-10-01), S. 1747-1754
    Online unknown
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    Study of the soft leakage current induced ESD on LDD transistor
    Wada, T.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 36 (1996-11-01), S. 1707-1710
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    The impact of MOSFET technology evolution and scaling on electrostatic discharge protection
    Voldman, Steven H.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 38 (1998-11-01), S. 1649-1668
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    Development and performance characterization of the lightly doped drain MOS transistor
    Andhare, P. N. ; Chandra, S. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 30 (1990), S. 681-690
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    A new model of subthreshold swing for sub-100nm MOSFETs
    Yang, Lin-An ; Hao, Yue ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 48 (2008-03-01), S. 342-347
    Online unknown
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    Rise-time effects in grounded gate nMOS transistors under transmission line pulse stress
    Kuper, Fred G. ; Boselli, Gianluca ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 40 (2000-12-01), S. 2061-2067
    Online unknown
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    The effects of process induced gate-to-source/drain junction separation in MOSFET structures
    Dimitrijev, Sima ; David Duanne Rowlands ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 38 (1998-12-01), S. 1855-1866
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  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Damage to n-MOSFETs from electrical stress Relationship to processing damage and impact on device reliability
    Trabzon, Levent ; Awadelkarim, Osama O.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 38 (1998-04-01), S. 651-657
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  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Electrostatic discharge (ESD) protection for CMOS output buffers in scaled-down VLSI technology
    Ker, Ming-Dou
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 38 (1998-04-01), S. 619-639
    Online unknown
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    Hot-carrier effects in scaled MOS devices
    Takeda, Eiji
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 33 (1993-09-01), S. 1687-1711
    Online unknown
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