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    academicJournal
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    A comparative study of lifetime reliability of planar MOSFET and FinFET due to BTI for the 16 nm CMOS technology node based on reaction-diffusion model
    Soin, Norhayati ; Mohamed Mounir Mahmoud
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 97 (2019-06-01), S. 53-65
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    Electrical characterization and reliability of submicron SOI CMOS technology in the extended temperature range (to 300 °C)
    Safonov, Sergey O. ; Stakhin, Veniamin G. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 79 (2017-12-01), S. 416-425
    Online unknown
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    Influences of silicon-rich shallow trench isolation on total ionizing dose hardening and gate oxide integrity in a 130 nm partially depleted SOI CMOS technology
    Hu, Zhiyuan ; Song, Lei ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 74 (2017-07-01), S. 1-8
    Online unknown
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    academicJournal
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    Strain engineering for bumping over IPs: Numerical investigations of thermo-mechanical stress induced mobility variations for CMOS 32nm and beyond
    Jaouen, Herve ; Gallois-Garreignot, Sebastien ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 53 (2013-02-01), S. 229-235
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    Scaling the bulk-driven MOSFET into deca-nanometer bulk CMOS processes
    Mukund, P.R. ; Moon, James E. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 51 (2011-04-01), S. 727-732
    Online unknown
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    ESD issues in advanced CMOS bulk and FinFET technologies: Processing, protection devices and circuit strategies
    Russ, Christian
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 48 (2008-08-01), S. 1403-1411
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    A review of CMOS latchup and electrostatic discharge (ESD) in bipolar complimentary MOSFET (BiCMOS) Silicon Germanium technologies: Part II—Latchup
    Voldman, Steven H.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 45 (2005-03-01), S. 437-455
    Online unknown
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    Channel hot carrier effects in n-MOSFET devices of advanced submicron CMOS technologies
    Rauch, Stewart E. ; Giuseppe La Rosa
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 47 (2007-04-01), S. 552-558
    Online unknown
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    Design optimization of gate-silicided ESD NMOSFETs in a 45 nm bulk CMOS technology
    Esmark, Kai ; Seguin, C. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 49 (2009-12-01), S. 1417-1423
    Online unknown
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    Analysis of ESD failure mechanism in 65nm bulk CMOS ESD NMOSFETs with ESD implant
    Gauthier, Robert J. ; Chatty, Kiran V. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006-09-01), S. 1597-1602
    Online unknown
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    Degradation of static and dynamic behavior of CMOS inverters during constant and pulsed voltage stress
    Cester, Andrea ; Gerardin, Simone ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 46 (2006-09-01), S. 1669-1672
    Online unknown
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    Impact of wafer charging on hot carrier reliability and optimization of latent damage detection methodology in advanced CMOS technologies
    Gomri, S. ; Moragues, J. M. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 45 (2005-03-01), S. 487-492
    Online unknown
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    A MOSFET power supply clamp with feedback enhanced triggering for ESD protection in advanced CMOS technologies
    Boselli, Gianluca ; Smith, Jeremy C.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 45 (2005-02-01), S. 201-210
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    Fault model for sub-micron CMOS ULSI circuits reliability assessment
    Lisenker, Boris ; Mitnick, Yuri
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 40 (2000-02-01), S. 255-265
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    Total dose response studies of n-channel SOI MOSFETs for low power CMOS circuits
    Srivastava, A.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 40 (2000-12-01), S. 2111-2115
    Online unknown
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    Modular, portable, and easily simulated ESD protection networks for advanced CMOS technologies
    Stockinger, Michael ; Miller, James W. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 42 (2002-06-01), S. 873-885
    Online unknown
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    academicJournal
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    Digital characteristics of a CMOS ternary inverter at the liquid nitrogen temperature
    Srivastava, A.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 33 (1993-10-01), S. 1957-1962
    Online unknown
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