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    TLP/VFTLP investigation on eNVM 1T1R PCM in FD-SOI UTBB CMOS technology at room temperature
    Galy, Ph. ; Jacquier, B. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 148 (2023-09-01)
    academicJournal
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    Finite element simulation-based prediction of CMOS-compatible pyroelectric material in MEMS IR detectors
    Ranu ; Agarwal, Pankaj B.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 147 (2023-08-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A high-speed quadruple-node-upset-tolerant latch in 22 nm CMOS technology
    Huang, Zhengfeng ; Zhang, Yan ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 147 (2023-08-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    SEE and TID characterization of an 8 Gbps SST transmitter in a 28 nm bulk CMOS technology
    Liang, Bin ; Chen, Jianjun ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 142 (2023-03-01)
    academicJournal
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    Simulation of transient radiation upset in a 0.18-μm CMOS SRAM by accurately modeling a 6T memory cell
    Zhao, Zhenguo ; Li, Guangrong ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 139 (2022-12-01)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A comparative radiation analysis of reconfigurable memory technologies: FinFET versus bulk CMOS
    Azimi, S. ; De Sio, C. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 138 (2022-11-01)
    academicJournal
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    Intrinsic ESD robustness on new high voltage N/PMOS devices in 28 nm FDSOI UTBB CMOS technology through TLP/VFTLP characterizations
    Galy, Ph. ; Jacquier, B. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 126 (2021-11-01)
    academicJournal
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    Impact of single-defects on the variability of CMOS inverter circuits
    Waltl, Michael ; Waldhoer, Dominic ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 126 (2021-11-01)
    academicJournal
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    Hot-carrier evaluation of a zero-cost transistor developed via process optimization in an embedded non-volatile memory CMOS technology
    Devoge, P. ; Aziza, H. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 126 (2021-11-01)
    academicJournal
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    Sub-10 MeV proton-induced single-event transients in 65 nm CMOS inverter chains
    Wu, Zhenyu ; Chi, Yaqing ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 125 (2021-10-01)
    academicJournal
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    A soft-error-tolerant, 1.25 GHz to 3.125 GHz, 3.18 ps RMS-jitter CPPLL in 40 nm CMOS process
    Guo, Qiancheng ; Guo, Yang ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 124 (2021-09-01)
    academicJournal
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    Single Event Effects in 0.18 μm Pinned Photodiode CMOS Image Sensors: SEU and SEFI
    Cai, Yu long ; Guo, Qi ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 117 (2021-02-01)
    academicJournal
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    Nonlinear error analysis and calibration model for cyclic ADCs in large array CMOS image sensors
    Xu, Jiangtao ; Li, Tingting ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 117 (2021-02-01)
    academicJournal
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    Layout-based mitigation of single-event transient for monolithic 3D CMOS integrated circuits
    Zhang, Junjun ; Liu, Fanyu ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, 2021
    academicJournal
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    Ionizing radiation damage in 65 nm CMOS technology: Influence of geometry, bias and temperature at ultra-high doses
    Borghello, G. ; Lerario, E. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 116 (2021)
    academicJournal
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    Single Event Upsets characterization of 65 nm CMOS 6T and 8T SRAM cells for ground level environment
    Malagón, Daniel ; Torrens, Gabriel ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 110 (2020-07-01)
    academicJournal
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    Analysis of signal attenuation in global shutter CMOS image sensor
    Xu, Jiangtao ; Li, Feng ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 109 (2020-06-01)
    academicJournal
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    Self-heating aware EM reliability prediction of advanced CMOS technology by kinetic Monte Carlo method
    Cai, Linlin ; Chen, Wangyong ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 107 (2020-04-01)
    academicJournal
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