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    Correlation cons derations: Real HBM to TLP and HBM testers : Electrical overstress / electrostatic discharge
    Barth, J. ; Richner, J.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 42 (2002), Heft 6, S. 909-918
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Gate oxide failures due to anomalous stress from HBM ESD testers : EOS/ESD symposium
    Duvvury, C. ; Steinhoff, R. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 46 (2006), Heft 5/6, S. 656-665
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Different Failure signatures of multiple TLP and HBM Stresses in an ESD robust protection structure : Reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Guitard, N. ; Essely, F. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 45 (2005), Heft 9/11, S. 1415-1420
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Relevance of contact reliability in HBM-ESD test equipment : Reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Reiner, J. C. ; Keller, T.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 41 (2001), Heft NO 9-10, S. 1397-1402
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    HBM tester waveforms, equivalent circuits, and socket capacitance : Advances in Electrostatic Discharge (ESD) protection for ICs
    Maloney, T. J.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 53 (2013), Heft 2, S. 184-189
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Correlation considerations: Real HBM to TLP and HBM testers
    Barth, J. ; Richner, J.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 42 (2002), Heft 6, S. 909-917
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
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    Experience in HBM ESD testing of high pin count devices
    Brodbeck, T. ; Gaertner, R.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 47 (2007), Heft 7, S. 1025-1029
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Bipolar model extension for MOS transistors considering gate coupling effects in the HBM ESD domain
    Wolf, H. ; Gieser, H. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 39 (1999), Heft 11, S. 1541-1549
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    HBM and TLP ESD robustness in smart-power protection structures
    Santirosi, S. ; Meneghesso, G. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 39 (1999), Heft 6-7, S. 839-844
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Unique ESD failure mechanisms during negative to Vcc HBM tests : Papers Presented at the 1997 Symposium on Electrical Overstress/Electrostatic Discharge (EOS/ESD)
    Chaine, M. ; Smith, S. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 38 (1998), Heft 11, S. 1749-1762
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    HBM and TLP ESD robustness in smart-power protection structures
    Santirosia, S. ; Meneghesso, G. ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 39 (1999), Heft 6, S. 839-844
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Dieser Titel kann aus lizenzrechtlichen Gründen nur im Campusnetz oder nach Anmeldung angezeigt werden!
    academicJournal
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    HBM and TLP ESD robustness in smart-power protection structures
    Santirosia, S. ; Meneghesso, Gaudenzio ; et al.
    In: Microelectronics Reliability, Jg. 39 (1999-06-01), S. 839-844
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Bipolar model extension for MOS transistors considering gate coupling effects in the HBM ESD domain : Electrical overstress, electrostatic discharge and current issues in metal migration
    Wolf, H. ; Gieser, H. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 39, Heft 11, S. 1541-1550
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    HBM and TLP ESD robustness in smart-power protection structures : Reliability of electron devices, failure physics and analysis
    Santirosi, S. ; Meneghesso, G. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 39, Heft 6/7, S. 839-844
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Unique ESD failure mechanisms during negative to Vcc HBM tests : Electrical overstress / electrostatic discharge
    Chaine, M. ; Smith, S. ; et al.
    In: MICROELECTRONICS RELIABILITY, Jg. 38, Heft 11, S. 1749-1762
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
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    academicJournal
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    academicJournal
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
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    academicJournal
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