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    CMOS Models Transistor Distortion; Based on symbolically defined devices (SDDs), this model predicts the nonlinear distortion contributions of individual transistors to an RF silicon CMOS design.
    In: Microwaves & RF, Jg. 51 (2012-08-01), Heft 8
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    Design a CDBA In 0.18-[micro]m CMOS; By designing a current difference buffer amplifier (CDBA) circuit for fabrication in a commercial CMOS semiconductor process, the versatility of this component can be applied in a variety of applications.
    In: Microwaves & RF, Jg. 51 (2012-04-01), Heft 4
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    CMOS RF FRONT END Improves Universal-Tuner Performance.
    In: Microwaves & RF, Jg. 51 (2012-06-01), Heft 6
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    Low-Power Mixer Hits High Intercept; Fabricated with 0.18-[micro]m RF CMOS technology, this downconversion mixer uses a current-reuse bleeding technique to achieve high linearity, while consuming only 6 mW from a +1.2-VDC supply.
    In: Microwaves & RF, Jg. 51 (2012-05-01), Heft 5
    Online serialPeriodical
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    CMOS Yields UHF RFID Transmitter; This integrated RFID transmitter includes an upconversion mixer and power amplifier for generating high-output voltage waveforms with relatively high efficiency from 860 to 960 MHz.
    In: Microwaves & RF, Jg. 51 (2012-02-01), Heft 2
    Online serialPeriodical
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    Fast Update Rates Boost Scopes' Power; A custom CMOS application-specific integrated circuit helps these new lines of mixed-signal and digital-storage oscilloscopes achieve update rates that bring new details to troubleshooting and analysis.
    In: Microwaves & RF, Jg. 50 (2011-07-01), Heft 7
    Online serialPeriodical
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    CMOS HANDLES Portable Passive MM-Wave Imaging.
    In: Microwaves & RF, Jg. 50 (2011-05-01), Heft 5
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    Low-power LNA drops noise At 2.4 GHz: this CMOS amplifier delivers high gain and low noise figure at 2.4 GHz with extremely low power consumption, by means of current-reuse and common-gate design strategies
    Wang, Chunhua ; Liu, Baimei
    In: Microwaves & RF, Jg. 49 (2010-02-01), Heft 2, S. 57-60
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    CMOS Oscillator Provides Sub-100-ppm Frequency Error.
    In: Microwaves & RF, Jg. 49 (2010-12-01), Heft 13
    Online serialPeriodical
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    CMOS LNA Covers 53.5 To 62 GHz.
    In: Microwaves & RF, Jg. 49 (2010-12-01), Heft 13
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    Terahertz CMOS ICs Become Feasible.
    In: Microwaves & RF, Jg. 49 (2010-11-01), Heft 11
    Online serialPeriodical
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    64.8GHz divider races on 0.13-[micro]m CMOS.
    In: Microwaves & RF, Jg. 49 (2010-05-01), Heft 5, S. 1
    Online serialPeriodical
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    CMOS clock generators allow frequency selection from 1 to 200 MHz.
    In: Microwaves & RF, Jg. 49 (2010), Heft 1, S. 1
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    CMOS receiver eliminates SAW filter.
    In: Microwaves & RF, Jg. 48 (2009-09-01), Heft 9, S. 1
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    60-GHz amplifiers leverage commercial CMOS process.
    In: Microwaves & RF, Jg. 48 (2009-07-01), Heft 7, S. 1
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    CMOS Schottky-diode doubler extends to 140 GHz.
    In: Microwaves & RF, Jg. 48 (2009-07-01), Heft 7, S. 1
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    60-GHz bandpass filter leverages standard CMOS process.
    In: Microwaves & RF, Jg. 48 (2009-04-01), Heft 4, S. 1
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    CMOS charges 52-GHz phased-array receiver.
    In: Microwaves & RF, Jg. 48 (2009-02-01), Heft 2, S. 1
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    CMOS LNA operates in subthreshold region.
    In: Microwaves & RF, Jg. 47 (2008-12-01), Heft 13, S. 1
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    65-nm CMOS houses 75-to-91-GHz receiver front end.
    In: Microwaves & RF, Jg. 47 (2008-10-01), Heft 10, S. 1
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