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    CMOS Scaling for the 5 nm Node and Beyond: Device, Process and Technology.
    Radamson, HH ; Miao, Y ; et al.
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 14 (2024-05-09), Heft 10
    Online academicJournal
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    Abridging the CMOS Technology II.
    Wong, H
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 14 (2024-05-21), Heft 11
    Online editorialOpinion
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    A Dual-Mode CMOS Power Amplifier with an External Power Amplifier Driver Using 40 nm CMOS for Narrowband Internet-of-Things Applications.
    Ahn, H ; Oh, K ; et al.
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 14 (2024-01-25), Heft 3
    Online academicJournal
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    Electrical Characteristics of CMOS-Compatible SiO <subscript>x</subscript> -Based Resistive-Switching Devices.
    Koryazhkina, MN ; Filatov, DO ; et al.
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 13 (2023-07-16), Heft 14
    Online academicJournal
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    High-Performance P- and N-Type SiGe/Si Strained Super-Lattice FinFET and CMOS Inverter: Comparison of Si and SiGe FinFET.
    Yao, YJ ; Yang, CR ; et al.
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 13 (2023-04-08), Heft 8
    Online academicJournal
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    Application of Two-Dimensional Materials towards CMOS-Integrated Gas Sensors.
    Filipovic, L ; Selberherr, S
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 12 (2022-10-18), Heft 20
    Online academicJournal
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    Challenges for Nanoscale CMOS Logic Based on Two-Dimensional Materials.
    Knobloch, T ; Selberherr, S ; et al.
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 12 (2022-10-11), Heft 20
    Online academicJournal
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    Abridging CMOS Technology.
    Wong, H
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 12 (2022-11-29), Heft 23
    Online editorialOpinion
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    Selective Overview of 3D Heterogeneity in CMOS.
    Li, C ; Pan, Z ; et al.
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 12 (2022-07-08), Heft 14
    Online academicJournal
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    Characteristic Variabilities of Subnanometer EOT La <subscript>2</subscript> O <subscript>3</subscript> Gate Dielectric Film of Nano CMOS Devices.
    Wong, H ; Zhang, J ; et al.
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 11 (2021-08-20), Heft 8
    Online academicJournal
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    Portable Real-Time Detection of Pb(II) Using a CMOS MEMS-Based Nanomechanical Sensing Array Modified with PEDOT:PSS.
    Yen, YK ; Lai, CY
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 10 (2020-12-08), Heft 12
    Online academicJournal
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    Synthesis of Vertical Carbon Nanotube Interconnect Structures Using CMOS-Compatible Catalysts.
    Ma, Z ; Zhou, S ; et al.
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 10 (2020-09-25), Heft 10
    Online academicJournal
    Zugriff:
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    State of the Art and Future Perspectives in Advanced CMOS Technology.
    Radamson, HH ; Zhu, H ; et al.
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 10 (2020-08-07), Heft 8
    Online academicJournal
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    CMOS-Compatible and Low-Cost Thin Film MACE Approach for Light-Emitting Si NWs Fabrication.
    Leonardi, AA ; Lo Faro, MJ ; et al.
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 10 (2020-05-18), Heft 5
    Online academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    On-Demand CMOS-Compatible Fabrication of Ultrathin Self-Aligned SiC Nanowire Arrays.
    Tabassum, N ; Kotha, M ; et al.
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 8 (2018-11-05), Heft 11
    Online academicJournal
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Low Temperature (Down to 6 K) and Quantum Transport Characteristics of Stacked Nanosheet Transistors with a High-K/Metal Gate-Last Process.
    Zhu, X ; Cao, L ; et al.
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 14 (2024-05-23), Heft 11
    Online academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Internal Resistor Effect of Multilayer-Structured Synaptic Device for Low-Power Operation.
    Kim, H ; Han, G ; et al.
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 14 (2024-01-16), Heft 2
    Online academicJournal
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    Design Technology Co-Optimization Strategy for Ge Fraction in SiGe Channel of SGOI FinFET.
    Li, S ; Wu, Z
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 13 (2023-05-23), Heft 11
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    Conversion of Charge Carrier Polarity in MoTe <subscript>2</subscript> Field Effect Transistor via Laser Doping.
    Kim, H ; Uddin, I ; et al.
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 13 (2023-05-22), Heft 10
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    Poole-Frenkel (PF)-MOS: A Proposal for the Ultimate Scale of an MOS Transistor.
    Wong, H ; Kakushima, K
    In: Nanomaterials (Basel, Switzerland), Jg. 13 (2023-01-19), Heft 3
    Online academicJournal
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