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    Contribution of oxygen vacancies to the phase transition and ferroelectricity of the Al:HfO <subscript>2</subscript> films.
    Liu, X ; Yao, L ; et al.
    In: Nanotechnology, 2024-06-04
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Tunable defect engineering of Mo/TiON electrode in angstrom-laminated HfO <subscript>2</subscript> /ZrO <subscript>2</subscript> ferroelectric capacitors towards long endurance and high temperature retention.
    Wang, SM ; Liu, CR ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 35 (2024-02-27), Heft 20
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Study of resistive switching behavior in HfO <subscript>2</subscript> nanocrystals synthesized via a low temperature hydrothermal method.
    Chen, X ; Li, H ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 35 (2024-01-04), Heft 12
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Effect of Y-doping on switching mechanisms and impedance spectroscopy of HfO <subscript>x</subscript> -based RRAM devices.
    Bai, Jiao ; Xie, Weiwei ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 34 (2023-06-04), Heft 23, S. 1-11
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Resistive switching modulation by incorporating thermally enhanced layer in HfO <subscript>2</subscript> -based memristor.
    Li, X ; Feng, Z ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 35 (2023-11-03), Heft 3
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High photoresponsivity MoS <subscript>2</subscript> phototransistor through enhanced hole trapping HfO <subscript>2</subscript> gate dielectric.
    Long, PX ; Lai, YY ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 35 (2023-10-26), Heft 2
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Research on electronic synaptic simulation of HfO <subscript>2</subscript> -based memristor by embedding Al <subscript>2</subscript> O <subscript>3</subscript> .
    Lin, J ; Liu, H ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 35 (2023-10-13), Heft 1
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    academicJournal
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    Performance enhancement of HfO <subscript>2</subscript> -based resistive random-access memory devices using ZnO nanoparticles.
    Byun, JH ; Ko, WS ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 34 (2023-07-14), Heft 39
    academicJournal
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    Ultra-thin gate insulator of atomic-layer-deposited AlO <subscript>x</subscript> and HfO <subscript>x</subscript> for amorphous InGaZnO thin-film transistors.
    Li, Jiye ; Guan, Yuhang ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 34 (2023-06-25), Heft 26, S. 1-8
    academicJournal
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    Superlattice-like Sb <subscript>70</subscript> Se <subscript>30</subscript> /HfO <subscript>2</subscript> thin films for high thermal stability and low power consumption phase change memory.
    Wang, K ; Chen, L
    In: Nanotechnology, Jg. 34 (2023-06-23), Heft 36
    academicJournal
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    A modified CVD method for the synthesis of monolayer MoS <subscript>2</subscript> and photoelectric improvement by HfO <subscript>2</subscript> passivation.
    Ai, Z ; Bao, L ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 34 (2023-05-22), Heft 32
    academicJournal
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    academicJournal
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    Experimental study of endurance characteristics of Al-doped HfO <subscript>2</subscript> ferroelectric capacitor.
    Choi, Y ; Shin, J ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 34 (2023-02-17), Heft 18
    academicJournal
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    Wafer-scale HfO 2 encapsulated silicon nanowire field effect transistor for efficient label-free DNA hybridization detection in dry environment
    Jayakumar, Ganesh ; Legallais, Maxime ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 30 (2019), Heft 18
    Online unknown
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    academicJournal
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    Effects of etching process and annealing temperature on the ferroelectric properties of atomic layer deposited Al-doped HfO <subscript>2</subscript> thin film.
    Ku, B ; Ma, Y ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 33 (2022-07-29), Heft 42
    academicJournal
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    Switching-behavior improvement in HfO <subscript>2</subscript> /ZnO bilayer memory devices by tailoring of interfacial and microstructural characteristics.
    Zhang, W ; Lei, J ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 33 (2022-04-01), Heft 25
    academicJournal
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