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    Impact of TID on latch up induced by pulsed irradiation in CMOS circuits
    Li, Ruibin ; He, Chaohui ; et al.
    In: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, Jg. 440 (2019-02-01), S. 95-100
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Analysis of Total Ionizing Dose effects for highly scaled CMOS devices in Low Earth Orbit
    Sajid, Muhammad ; Chechenin, N.G. ; et al.
    In: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, Jg. 428 (2018-08-01), S. 30-37
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A simple analytical model of single-event upsets in bulk CMOS
    Sogoyan, Armen V. ; Chumakov, Alexander I. ; et al.
    In: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, Jg. 400 (2017-06-01), S. 31-36
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    X-ray imaging and spectroscopy using low cost COTS CMOS sensors
    Lane, David W.
    In: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, Jg. 284 (2012-08-01), S. 29-32
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Total-ionizing-dose effects on isolation oxides in modern CMOS technologies
    Barnaby, Hugh J. ; Mclain, Michael ; et al.
    In: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, Jg. 261 (2007-08-01), Heft 1-2, S. 1142-1145
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    X-ray tomography using a CMOS area detector
    Brunetti, A. ; Cesareo, R.
    In: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, Jg. 258 (2007), Heft 2, S. 485-489
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Advanced 65 nm CMOS devices fabricated using ultra-low energy plasma doping
    Walther, S. ; Lenoble, D. ; et al.
    In: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, Jg. 237 (2005-08-01), Heft 1-2, S. 126-130
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Poly-Si gate engineering for advanced CMOS transistors by germanium implantation
    Bourdon, H. ; Juhel, M. ; et al.
    In: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, Jg. 237 (2005-08-01), Heft 1-2, S. 148-154
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ultra shallow P+/N junctions using plasma immersion ion implantation and laser annealing for sub 0.1 μm CMOS devices
    Torregrosa, Frank ; Laviron, Cyrille ; et al.
    In: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, Jg. 237 (2005-08-01), Heft 1-2, S. 18-24
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    First measurement of 222Rn activity with a CMOS active pixel sensor
    Nachab, A. ; Husson, D. ; et al.
    In: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, Jg. 225 (2004), Heft 3, S. 418-422
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ion-beam-induced charge-collection imaging of CMOS ICs
    Sexton, F.W. ; Horn, K.M. ; et al.
    In: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, Jg. 79 (1993), Heft 1, S. 436-442
    academicJournal
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    High energy ion implantation for profiled tub formation and impurity gettering in deep submicron CMOS technology
    Jacobson, D.C. ; Kamgar, A. ; et al.
    In: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, Jg. 96 (1995), Heft 1, S. 416-419
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Critical aspects of high energy implants for CMOS technology: Channeling effects and masking problems
    Spinelli, P. ; Cartier, A.M. ; et al.
    In: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, Jg. 21 (1987), Heft 1, S. 452-455
    academicJournal
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    CMOS process review with implications for ion implantation
    Seidel, T.E.
    In: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, Jg. 21 (1987), Heft 1, S. 96-103
    academicJournal
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    Applications of SIMOX technology to CMOS LSI and radiation-hardened devices
    Izumi, K.
    In: Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B, Jg. 21 (1987), Heft 1, S. 124-128
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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