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    Total-ionizing-dose effects on isolation oxides in modern CMOS technologies
    Barnaby, Hugh J. ; Mclain, Michael ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 262 (2007-08-01), Heft 1, S. 1142-1145
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    X-ray tomography using a CMOS area detector
    Brunetti, A. ; Cesareo, R.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 258 (2007-05-01), Heft 2, S. 485-489
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Advanced 65nm CMOS devices fabricated using ultra-low energy plasma doping
    Walther, S. ; Lenoble, D. ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 237 (2005-08-01), Heft 1-2, S. 126-130
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Poly-Si gate engineering for advanced CMOS transistors by germanium implantation
    Bourdon, H. ; Juhel, M. ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 237 (2005-08-01), Heft 1-2, S. 148-154
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ultra shallow P+/N junctions using plasma immersion ion implantation and laser annealing for sub 0.1[mu]m CMOS devices
    Torregrosa, Frank ; Laviron, Cyrille ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 237 (2005-08-01), Heft 1-2, S. 18-24
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Single event transient analysis of an SOI operational amplifier for use in low-temperature Martian exploration
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 260 (2007-07-01), Heft 1, S. 281-287
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    90 nm device validation of the use of a single-wafer, high-current implanter for high tilt halo implants
    Felch, S.B. ; Foad, M.A. ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 237 (2005-08-01), Heft 1-2, S. 53-57
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The micro-imaging station of the TopoTomo beamline at the ANKA synchrotron light source
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 267 (2009-06-01), Heft 11, S. 1978-1988
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Controlling nickel silicide phase formation by Si implantation damage
    Guihard, M. ; Turcotte-Tremblay, P. ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 267 (2009-05-01), Heft 8-9, S. 1285-1289
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    CV characteristics of polycrystalline sige films with low GE concentration
    Teixeira, Ricardo Cotrin ; Doi, Ioshiaki ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 253 (2006-12-01), Heft 1-2, S. 37-40
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Beyond SRP: Quantitative carrier profiling with M4PP
    Clarysse, T. ; Vandervorst, W. ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 253 (2006-12-01), Heft 1-2, S. 136-140
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    X-ray absorption spectroscopy study of Yb.sub.2O.sub.3 and Lu.sub.2O.sub.3 thin films deposited on Si(100) by atomic layer deposition
    Malvestuto, M. ; Scarel, G. ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 246 (2006-05-01), Heft 1, S. 90-95
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ion backscattering study of ultra-thin oxides: Al.sub.2O.sub.3 and AlHfO.sub.x films on Si
    Wielunski, Leszek S. ; Chabal, Yves ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 241 (2005-12-01), Heft 1-4, S. 377-381
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Ion tracks developed in polyimide resist on Si wafers as template for nanowires
    Skupinski, Marek ; Toulemonde, Marcel ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 240 (2005-11-01), Heft 3, S. 681-689
    academicJournal
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Alternative USJ formation and characterization methods for 45nm node technology
    Borland, John O.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 237 (2005-08-01), Heft 1-2, S. 6-11
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Optimization of pre-amorphization and dopant implant conditions for advanced annealing
    Felch, S.B. ; Graoui, H. ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 237 (2005-08-01), Heft 1-2, S. 35-40
    academicJournal
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  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Transistor challenges - A DRAM perspective
    Faul, Juergen W. ; Henke, Dietmar
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 237 (2005-08-01), Heft 1-2, S. 228-234
    academicJournal
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    Ultra-high resolution mass spectroscopy of boron cluster ions
    Jacobson, Dale ; Horsky, Thomas ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 237 (2005-08-01), Heft 1-2, S. 406-410
    academicJournal
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  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    Low energy electron induced X-ray emission spectrometry (LEXES) and secondary ion mass spectrometry (SIMS) sensitivity studies to ultra shallow arsenic implants
    Graoui, H. ; Conti, G. ; et al.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 237 (2005-08-01), Heft 1-2, S. 336-340
    academicJournal
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    Investigation on boron transient enhanced diffusion induced by the advanced P.sup.+/N ultra-shallow junction fabrication processes
    Lallement, F. ; Lenoble, D.
    In: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B, Jg. 237 (2005-08-01), Heft 1-2, S. 113-120
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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