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22 Treffer

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    High-energy X-ray photoelectron spectroscopy study of MBE grown (Eu,Gd) Te layers : Synchrotron radiation in materials science; SRMS-4
    Orlowski, B. A. ; Mickievicius, S. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 238 (2005), Heft 1/4, S. 346-352
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    Microstructural characterization of In~xGa~1~-~xN MBE samples : Synchrotron radiation and materials science; Beam interactions with materials and atoms
    Katsikini, M. ; Paloura, E. C. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 200 (2003), S. 114-119
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
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    An EXAFS and XANES study of MBE grown Cu-doped ZnO : Synchrotron radiation in materials science; Beam interactions with materials and atoms
    Fons, P. ; Yamada, A. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 199 (2003), S. 190-194
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Ion beam studies of MBE grown GaN films on (111) silicon substrates : Accelerators in applied research and technology
    Alves, E. ; Barradas, N. P. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 188 (2002), S. 73-77
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Ion beam studies of MBE grown GaN films on (111) silicon substrates : Accelerators in applied research and technology
    Alves, E. ; Barradas, N. P. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 188 (2002), Heft NO 1-4, S. 73-77
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    He^+^+-irradiated beryllium-doped Al~0~.~5Ga~0~.~5As MBE layers : Materials science with ion beams
    Szatkowski, J. ; Placzek-Popko, E. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 178 (2001), S. 252-255
    Konferenz
    Wie komme ich dran?
  7. Detailansicht für Treffer 7 öffnen
    Epitaxial growth of Ge nanoislands on Si/Ge heterostructure by ion-assisted MBE method
    Ashurov, K. B. ; Djurabekova, F. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 282 (2012), S. 38-42
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  8. Detailansicht für Treffer 8 öffnen
    Ion implantation and ion milling in MBE Hg1-xCdxTe films
    Fitsych, O. I. ; Voitsekhovskii, A. V. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 272 (2012), S. 313-317
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Photoluminescence studies on MBE grown Co-doped ZnO thin films fabricated through ion implantation and swift heavy ion irradiation
    Angadi, B. ; Kumar, R. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 272 (2012), S. 305-308
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  10. Detailansicht für Treffer 10 öffnen
    Effect of Ge doping on the creation of luminescent radiation defects in MBE Si
    Ankiewicz, A. O. ; Sobolev, N. A. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 248 (2006), Heft 1, S. 127-132
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  11. Detailansicht für Treffer 11 öffnen
    Implant isolation of plasma-assisted MBE grown GaInAsN for opto-telecommunication applications
    Ahmed, S. ; Lin, J. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 240 (2005), Heft 1-2, S. 214-218
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    High-energy X-ray photoelectron spectroscopy study of MBE grown (Eu,Gd) Te layers
    Orlowski, B. A. ; Mickievicius, S. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 238 (2005), Heft 1-4, S. 346-352
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Microstructural characterization of InxGa1-xN MBE samples
    Katsikini, M. ; Paloura, E. C. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 200 (2003), S. 114-119
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    An EXAFS and XANES study of MBE grown Cu-doped ZnO
    Fons, P. ; Yamada, A. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 199 (2003), S. 190-194
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    Ion beam studies of MBE grown GaN films on (111) silicon substrates
    Alves, E. ; Barradas, N. P. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 188 (2002), Heft 1-4, S. 73-77
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    He++-irradiated beryllium-doped Al0.5Ga0.5As MBE layers
    Szatkowski, J. ; P&lz.xl;aczek-Popko, E. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 178 (2001), Heft 1-4, S. 252-255
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  17. Detailansicht für Treffer 17 öffnen
    Topographical structure of MBE grown cubic InxGa1-xN films studied with a MeV ion microprobe and by AFM
    Brenn, R. ; Jamieson, D. N. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 161-163 (2000), S. 435-440
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  18. Detailansicht für Treffer 18 öffnen
    RBS/Channeling study of Er doped GaN films grown by MBE on Si(111) substrates
    Lorenz, K. ; Vianden, R. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 161-163 (2000), S. 946-951
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  19. Detailansicht für Treffer 19 öffnen
    SIMS and XPS characterization of CdS/CdTe heterostructures grown by MBE
    Boieriu, P. ; Sporken, R. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 161-163 (2000), S. 975-979
    serialPeriodical
    Wie komme ich dran?
  20. Detailansicht für Treffer 20 öffnen
    Determination of growth mechanisms of MBE grown BaF~2 on Si(100) by target angle dependence of RBS yields
    Stumborg, M. F. ; Chu, T. K. ; et al.
    In: NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, Jg. 95 (1995), Heft 3, S. 319-319
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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sm 576 - 768
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