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    academicJournal
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    Uncooled 4.2 μm light emitting diodes based on InAs0.91Sb0.09/GaSb grown by LPE
    Krier, A. ; Mao, Y.
    In: Optical Materials, Jg. 6 (1996-07-01), S. 55-61
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    2 K photoluminescence of indirect GAP AlxGa1−xAs alloys grown under near-equilibrium conditions by LPE
    Purón-Sopeña, E ; Martínez-Criado, Gema ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 10 (1998-05-01), S. 137-142
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
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    Photoluminescence emission in the red band at low temperatures in type-island layers of the Al0.32Ga0.68 As/Al0.29Ga0.71As/GaAs structure obtained via liquid phase epitaxy, and its description by the mechanism of Stranski-Krastanov growth.
    Herrera, Ana M. ; Ramos, Antonio ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 134 (2022-12-01), S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Luminescent properties of Tm3−xLuxAl5O12:Ce single crystalline films.
    Zorenko, Yu. ; Gorbenko, V. ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 69 (2017-07-01), S. 444-448
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Luminescent properties of Mn-doped Y3Al5O12 single crystalline films
    Zorenko, Yu. ; Gorbenko, V. ; et al.
    In: Optical Materials, Jg. 36 (2014-08-01), S. 1680-1684
    Online unknown
    Zugriff:
    View record in OpenAIRE (Volltext)
    Wie komme ich dran?
xs 0 - 576
sm 576 - 768
md 768 - 992
lg 992 - 1200
xl 1200 - 1366
xxl 1366 -