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    All MBE grown InAs/GaAs quantum dot lasers on on-axis Si (001)
    Kwoen, Jinkwan ; Arakawa, Yasuhiko ; et al.
    In: Optics Express, Jg. 26 (2018-04-19), S. 11568-11568
    Online unknown
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    The MBE growth and optimization of high performance terahertz frequency quantum cascade lasers
    Alexander Giles Davies ; Chen, Li ; et al.
    In: Optics express, Jg. 23 (2015-04-04), Heft 3
    Online unknown
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    Optical anisotropy and light extraction efficiency of MBE grown GaN nanowires epilayers
    Tourbot, G. ; Gérard, Jean-Michel ; et al.
    In: Optics express, Jg. 19 (2011-01-26), Heft 2
    Online unknown
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    GaSb-based laser diodes grown on MOCVD GaAs-on-Si templates
    Lai, Billy ; Monge-Bartolome, Laura ; et al.
    In: Optics express, Jg. 29 (2021-04-06), Heft 7
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    Efficient tunnel junction contacts for high-power semipolar III-nitride edge-emitting laser diodes
    Alhassan, Abdullah I. ; Nakamura, Shuji ; et al.
    In: Optics express, Jg. 27 (2019-05-05), Heft 6
    Online unknown
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    InAs/GaAs quantum dot laser epitaxially grown on on-axis (001) GaAsOI substrate
    You, Tiangui ; Jiajie, Lin ; et al.
    In: Optics express, Jg. 29 (2021-11-23), Heft 23
    Online unknown
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    High conductivity n-Al0.6Ga0.4N by ammonia-assisted molecular beam epitaxy for buried tunnel junctions in UV emitters
    Saifaddin, Burhan K. ; Zhang, Yuewei ; et al.
    In: Optics Express, Jg. 29 (2021-11-23), S. 40781-40781
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    Defect characterization of AlInAsSb digital alloy avalanche photodetectors with low frequency noise spectroscopy
    Deng, Zhuo ; Jones, Andrew H. ; et al.
    In: Optics express, Jg. 28 (2020-05-15), Heft 8
    Online unknown
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    InGaN/GaN micro mirror with electrostatic comb drive actuation integrated on a patterned silicon-on-insulator wafer
    Hu, Fangren ; Wang, Yongjin ; et al.
    In: Optics express, Jg. 26 (2018-04-04), Heft 6
    Online unknown
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    Electrically pumped InGaAs/GaAs quantum well microdisk lasers directly grown on Si(100) with Ge/GaAs buffer
    Sushkov, A. A. ; Yurasov, D. V. ; et al.
    In: Optics express, Jg. 25 (2017-08-10), Heft 14
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    1310 nm InAs quantum-dot microdisk lasers on SOI by hybrid epitaxy
    Hui, Cong ; Wang, Jian-Huan ; et al.
    In: Optics Express, Jg. 27 (2019-06-26), S. 19348-19348
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  12. Detailansicht für Treffer 12 öffnen
    Demonstration of a III-nitride edge-emitting laser diode utilizing a GaN tunnel junction contact
    Young, Erin C. ; Nakamura, Shuji ; et al.
    In: Optics express, Jg. 24 (2016-05-04), Heft 7
    Online unknown
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    [Untitled]
    In: Optics Express
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  14. Detailansicht für Treffer 14 öffnen
    Monolithic integration of InGaAs n-FETs and lasers on Ge substrate
    Soon Fatt Yoon ; Liang, Gengchiau ; et al.
    In: Optics Express, Jg. 25 (2017-02-27), S. 5146-5146
    Online unknown
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  15. Detailansicht für Treffer 15 öffnen
    InGaAsP-based uni-travelling carrier photodiode structure grown by solid source molecular beam epitaxy
    Renaud, Cyril C. ; Liu, Chin-Pang ; et al.
    In: Optics express, Jg. 20 (2012-10-06), Heft 17
    Online unknown
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  16. Detailansicht für Treffer 16 öffnen
    Silicon-based current-injected light emitting diodes with Ge self-assembled quantum dots embedded in photonic crystal nanocavities
    Shiraki, Yasuhiro ; Maruizumi, Takuya ; et al.
    In: Optics Express, Jg. 20 (2012-06-15), S. 14714-14714
    Online unknown
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