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  1. Detailansicht für Treffer 1 öffnen
    Optimization of electrode structure for flip-chip HVLED via two-level metallization
    Kei May Lau ; Cai, Yuefei ; et al.
    In: physica status solidi (a), Jg. 213 (2016-01-19), S. 1199-1203
    Online unknown
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    High temperature characteristics of monolithically integrated LED and MOS-channel HEMT in GaN using selective epi removal
    Detchprohm, Theeradetch ; Chow, T.P. ; et al.
    In: physica status solidi (a), Jg. 212 (2015-01-12), S. 1110-1115
    Online unknown
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    Improvement on InGaN-based light emitting diodes using p-GaN layer grown at low temperature in full N2environment
    Fang, Yutao ; Zuo, Peng ; et al.
    In: physica status solidi (a), Jg. 211 (2014-02-19), S. 1175-1178
    Online unknown
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  4. Detailansicht für Treffer 4 öffnen
    Improving Performance of Algan-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes by Inserting a Higher Al-Content Algan Layer Within the Multiple Quantum Wells
    Shen, Bo ; Qi Gong Chen ; et al.
    In: physica status solidi (a), Jg. 214 (2017-09-13), S. 1700461-1700461
    Online unknown
    Zugriff:
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  5. Detailansicht für Treffer 5 öffnen
    Model for cross-plane thermal conductivity of layered quantum semiconductor structures and application for thermal modeling of GaInAs/AlInAs-based quantum cascade lasers
    Kim, Sangin ; Le, Khai Q.
    In: physica status solidi (a), Jg. 205 (2008-02-01), S. 392-396
    Online unknown
    Zugriff:
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sm 576 - 768
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