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    Performance Improvement of AlGaN‐Based Deep‐Ultraviolet Light‐Emitting Diodes with Multigradient Electron Blocking Layer and Triangular Last Quantum Barrier.
    Lv, Quanjiang ; Cao, Yiwei ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 220 (2023-07-01), Heft 13, S. 1-7
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Improved Wave Function Overlap and Carrier Confinement of AlGaN‐Based Deep‐Ultraviolet Light‐Emitting Diodes with Graded Composition Multiple Quantum Wells.
    Xiao, Fu-an ; Liang, Xu ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 218 (2021-05-15), Heft 10, S. 1-7
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    A Comparative Study of GaN‐Based Direct Current and Alternating Current High Voltage Light‐Emitting Diodes.
    Zhou, Shengjun ; Gao, Yilin ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 215 (2018-05-23), Heft 10, S. 1-7
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High power InGaN/GaN flip-chip LEDs with via-hole-based two-level metallization electrodes.
    Lv, Jiajiang ; Zheng, Chenju ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 213 (2016-12-01), Heft 12, S. 3150-3156
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Optimization of electrode structure for flip-chip HVLED via two-level metallization.
    Cai, Yuefei ; Zou, Xinbo ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 213 (2016-05-01), Heft 5, S. 1199-1203
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  6. Detailansicht für Treffer 6 öffnen
    Improving Performance of Algan-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes by Inserting a Higher Al-Content Algan Layer Within the Multiple Quantum Wells.
    Lu, Lin ; Wan, Zhi ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 214 (2017-11-01), Heft 11, S. n/a- (5S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Thermal Effects on the Electrical and Optical Characteristics of Micro‐Light‐Emitting Diodes with Different Current Spreading Layer.
    Huang, Huamao ; Wu, Haocheng ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 216 (2019-07-24), Heft 14, S. N.PAG
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    High temperature characteristics of monolithically integrated LED and MOS-channel HEMT in GaN using selective epi removal.
    Li, Z. ; Waldron, J. ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 212 (2015-05-01), Heft 5, S. 1110-1115
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
  9. Detailansicht für Treffer 9 öffnen
    Improvement on InGaN-based light emitting diodes using p-GaN layer grown at low temperature in full N<subscript>2</subscript> environment.
    Deng, Zhen ; Jiang, Yang ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 211 (2014-05-01), Heft 5, S. 1175-1178
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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