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    A microbolometer fabrication process using polymorphous silicon-germanium films (pm-Si<subscript> x</subscript>Ge<subscript> y</subscript>:H) as thermosensing material.
    Calleja, Cesar ; Torres, Alfonso ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 213 (2016-07-01), Heft 7, S. 1864-1868
    academicJournal
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    Formation of Er-germanosilicide films on strained Si<subscript>1− x</subscript>Ge <subscript>x</subscript> with different Ge contents.
    Choi, Seongheum ; Choi, Juyun ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 212 (2015-04-01), Heft 4, S. 775-779
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Carbon-hydrogen related defects in SiGe observed after dc H plasma treatment.
    Stübner, Ronald ; Kolkovsky, Vladimir ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 214 (2017-07-01), Heft 7, S. n/a- (4S.)
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    The Stranski-Krastanow transition in SiGe epitaxy investigated by scanning transmission electron microscopy.
    Walther, Thomas ; Norris, David J. ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 210 (2013), Heft 1, S. 187-190
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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    Dislocation motion in Sb-doped SiGe on Si substrate.
    Yamashita, Yoshifumi ; Matsunaga, Takuya ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 209 (2012-10-01), Heft 10, S. 1921-1925
    academicJournal
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    A comparative analysis of oxidation rates for thin films of SiGe versus Si.
    Long, Ethan ; Galeckas, Augustinas ; et al.
    In: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science, Jg. 209 (2012-10-01), Heft 10, S. 1934-1939
    academicJournal
    Wie komme ich dran?
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