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    MBE-growth, characterization and properties of InN and InGaN
    NANISHI, Y ; SAITO, Y ; et al.
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 200 (2003), Heft 1, S. 202-208
    Online Konferenz
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    High power GaN/AlGaN/GaN hemts operating at 2 to 25 GHz grown by plasma-assisted MBE
    MANFRA, M. J ; WEIMANN, N. G ; et al.
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 200 (2003), Heft 1, S. 175-178
    Online Konferenz
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    Selective area growth of GaN on SiC substrate by ammonia-source MBE
    TANG, H ; BARDWELL, J. A ; et al.
    In: ICNS 4: Fourth International Conference on Nitride Semiconductors, Denver, Colorado, USA, July 16-20, 2001. (Part A.2), Jg. 188 (2001), Heft 2, S. 715-718
    Online Konferenz
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    Optical control of group-III and N flux intensities in plasma-assisted MBE with RF capacitively-coupled magnetron nitrogen activator
    JMERIK, V. N ; VEKSHIN, . V. A ; et al.
    In: ICNS 4: Fourth International Conference on Nitride Semiconductors, Denver, Colorado, USA, July 16-20, 2001. (Part A.2), Jg. 188 (2001), Heft 2, S. 615-619
    Online Konferenz
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    Anomalies in characteristics of broad-contact ridge waveguide SCH-SQW lasers based on AlGaAs/InGaAs grown by MBE
    KANIEWSKA, M ; RATAJCZAK, J
    In: 6th International Workshop on Expert Evaluation & Control of Compound Semiconductor Materials & Technologies, Jg. 195 (2003), Heft 1, S. 44-49
    Online Konferenz
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    Growth of GaN/AlGaN HFETs on SiC substrates with optimized electrical characteristics using the ammonia-MBE technique
    WEBB, J. B ; TANG, H ; et al.
    In: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2002), Jg. 194 (2002), Heft 2, S. 439-442
    Online Konferenz
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    Optical characterization of MBE grown zinc-blende AlGaN
    MARTINEZ-GUERRERO, E ; ENJALBERT, F ; et al.
    In: ICNS 4: Fourth International Conference on Nitride Semiconductors, Denver, Colorado, USA, July 16-20, 2001. (Part A.2), Jg. 188 (2001), Heft 2, S. 695-698
    Online Konferenz
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    Study of low-frequency excess noise transport in Ga-face and N-face GaN thin films grown on intermediate-temperature buffer layer by RF-MBE
    FONG, W. K ; LEUNG, B. H ; et al.
    In: Proceedings: 4th International Symposium on Blue Lasers and Light Emitting Diodes (ISBLLED2002), CÓrdoba, Spain, March 11-15, Jg. 192 (2002), Heft 2, S. 466-471
    Online Konferenz
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    Filtering study of threading dislocations in AlN buffered MBE GaN/sapphire using single and multiple high temperature AlN intermediate layers
    PONCE, A ; SANCHEZ, A. M ; et al.
    In: Proceedings: 4th International Symposium on Blue Lasers and Light Emitting Diodes (ISBLLED2002), CÓrdoba, Spain, March 11-15, Jg. 192 (2002), Heft 2, S. 424-429
    Online Konferenz
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    Structural control of cubic and hexagonal GaN by changing the electric bias during ECR-MBE growth
    ARAKI, T ; MINAMI, T ; et al.
    In: ICNS 4: Fourth International Conference on Nitride Semiconductors, Denver, Colorado, USA, July 16-20, 2001. (Part A.2), Jg. 188 (2001), Heft 2, S. 677-680
    Online Konferenz
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    Strong photoluminescence emission from polycrystalline GaN grown on metal substrate by NH3 source MBE
    ASAHI, H ; TAMPO, H ; et al.
    In: ICNS 4: Fourth International Conference on Nitride Semiconductors, Denver, Colorado, USA, July 16-20, 2001. (Part A.2), Jg. 188 (2001), Heft 2, S. 601-604
    Online Konferenz
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    Near bandedge cathodoluminescence studies of AlN films: Dependence on MBE growth conditions
    SHISHKIN, Y ; DEVATY, R. P ; et al.
    In: ICNS 4: Fourth International Conference on Nitride Semiconductors, Denver, Colorado, USA, July 16-20, 2001. (Part A.2), Jg. 188 (2001), Heft 2, S. 591-594
    Online Konferenz
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  13. Detailansicht für Treffer 13 öffnen
    Investigation of different Si(111) surface preparation methods for the heteroepitaxy of GaN by plasma-assisted MBE
    ANDROULIDAKI, M ; GEORGAKILAS, A ; et al.
    In: ICNS 4: Fourth International Conference on Nitride Semiconductors, Denver, Colorado, USA, July 16-20, 2001. (Part A.2), Jg. 188 (2001), Heft 2, S. 515-518
    Online Konferenz
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    GaN growth by compound source MBE using GaN powder
    HONDA, T ; SATO, K ; et al.
    In: ICNS 4: Fourth International Conference on Nitride Semiconductors, Denver, Colorado, USA, July 16-20, 2001. (Part A.2), Jg. 188 (2001), Heft 2, S. 587-590
    Online Konferenz
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    Effects of the sapphire nitridation on the polarity and structural properties of GaN layers grown by plasma-assisted MBE
    GEORGAKILAS, A ; MIKROULIS, S ; et al.
    In: ICNS 4: Fourth International Conference on Nitride Semiconductors, Denver, Colorado, USA, July 16-20, 2001. (Part A.2), Jg. 188 (2001), Heft 2, S. 567-570
    Online Konferenz
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    Ammonia source MBE growth of polycrystalline GaN p-n junction
    TAMPO, H ; YAMADA, K ; et al.
    In: ICNS 4: Fourth International Conference on Nitride Semiconductors, Denver, Colorado, USA, July 16-20, 2001. (Part A.2), Jg. 188 (2001), Heft 2, S. 605-609
    Online Konferenz
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    Band discontinuity and band gap of MBE grown HgTe/CdTe(001) heterointerfaces studied by k-resolved photoemission and inverse photoemission
    EICH, D ; ORTNER, . K ; et al.
    In: German/Brazilian Workshop on Applied Surface Science, Jg. 173 (1999), Heft 1, S. 261-267
    Online Konferenz
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    Gettering and precipitation behaviour of MBE related heavy metal impurities in dependence on silicon self-interstitial supersaturation
    KISSINGER, G ; MORGENSTERN, G ; et al.
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 150 (1995), Heft 2, S. 733-742
    Online academicJournal
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    The charge carrier transport mechanisms in the diffusion n-p junctions based on MBE CdxHg1-xTe
    ROMASHKO, L. N ; OVSYUK, V. N
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 175 (1999), Heft 2, S. 651-658
    Online academicJournal
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    MBE growth of strained InxGa1-xAs on GaAs(001)
    NEMCSICS, A ; OLDE, J ; et al.
    In: Physica status solidi. A. Applied research, Jg. 155 (1996), Heft 2, S. 427-437
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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