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    Transfer of excess charge carriers in an a-Si:H/crystalline-silicon heterojunction measured during the growth of the amorphous silicon layer
    NEITZERT, H. C ; HIRSCH, W ; et al.
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 48 (1993), Heft 7, S. 4481-4486
    Online academicJournal
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    Diamond film growth by chemical vapor deposition : a molecular simulation
    XING, J ; SCOTT, H. L
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 48 (1993), Heft 7, S. 4806-4810
    Online academicJournal
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    {311} facets of selectivity grown epitaxial Si layers on SiO2-patterned Si(100) surfaces
    HIRAYAMA, H ; HIROI, M ; et al.
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 48 (1993), Heft 23, S. 17331-17337
    Online academicJournal
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    Wie komme ich dran?
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    Step-boundary conditions for crystal growth from the vapor phase
    HARRIS, S
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 48 (1993), Heft 16, S. 12093-12096
    Online academicJournal
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    Si crystal growth mediated by synchroton-radiaton-stimulated hydrogen desorption
    AKAZAWA, H ; UTSUMI, Y ; et al.
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 47 (1993), Heft 23, S. 15946-15949
    Online academicJournal
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    High-resolution electron-energy-loss spectroscopic study of epitaxially grown diamond (111) abnd (100) surfaces
    AIZAWA, T ; ANDO, T ; et al.
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 48 (1993), Heft 24, S. 18348-18351
    Online academicJournal
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    Dynamic behavior of hydrogen in silicon nitride and oxynitride films made by low-pressure chemical vapor deposition
    ARNOLDBIK, W. M ; MAREE, C. H. M ; et al.
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 48 (1993), Heft 8, S. 5444-5456
    Online academicJournal
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    Defects in diamond thin films
    FANCIULLI, M ; MOUTAKAS, T. D
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 48 (1993), Heft 20, S. 14982-14988
    Online academicJournal
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    Chemical equilibration of plasma-deposited amorphous silicon with thermally generated atomic hydrogen
    ILSIN, AN ; LI, Y. M ; et al.
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 48 (1993), Heft 7, S. 4464-4472
    Online academicJournal
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    Cathodoluminescence spectroscopy of free and bound excitons in chemical-vapor-deposited diamond
    ROBINS, L. H ; FARABAUGH, E. N ; et al.
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 48 (1993), Heft 19, S. 14167-14181
    Online academicJournal
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    Antiphase boundaries as nucleation centers in low-temperature silicon epitaxial growth
    BRONIKOWSKI, M. J ; YAJUN, WANG ; et al.
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 48 (1993), Heft 16, S. 12361-12364
    Online academicJournal
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    Growth and electronic structure of ultrathin palladium films on Al(111) and their interaction with oxygen and carbon monoxide / Croissance et structure électronique de couches ultraminces de palladium sur Al(111) et leur interaction avec l'oxygène et le monoxyde de carbone
    FRICK, B ; JACOBI, K
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 37 (1988), Heft 9, S. 4408-4414
    Online academicJournal
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    Excitonic recombination radiation in undoped and boron-doped chemical-vapor-deposited diamonds
    KAWARADA, H ; MATSUYAMA, H ; et al.
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 47 (1993), Heft 7, S. 3633-3637
    Online academicJournal
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    Preparation and characterization of BxC1-x thin films with the graphite structure
    WAY, B. M ; DAHN, J. R ; et al.
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 46 (1992), Heft 3, S. 1697-1702
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    Raman scattering from ion-implanted diamond, graphite, and polymers
    LEE, E. H ; HEMBREE, D. M ; et al.
    In: Physical review. B, Condensed matter, Jg. 48 (1993), Heft 21, S. 15540-15551
    Online academicJournal
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